ФЕДЕРАЛЬНАЯ ЦЕЛЕВАЯ ПРОГРАММА "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" на 2002-2006 годы
ПРИЛОЖЕНИЕ N 1
к федеральной целевой программе
"Национальная технологическая база"
на 2002-2006 годы
П Е Р Е Ч Е Н Ь
мероприятий федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база" на
2002-2006 годы
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
¦ Стоимость (млн. рублей) ¦ Ожидаемые результаты
+----------------------------------------------------------¦
¦2002 год ¦ 2003-2006 ¦ в том числе ¦
¦(в ценах ¦годы - всего+-----------------------------------¦
¦ 2002 ¦ (в ценах ¦ 2003 ¦ 2004 ¦ 2005 ¦ 2006 ¦
¦ года) ¦ 2003 года) ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
I. Технологии новых материалов
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
1. Создание высокопрочных, 10,2* 47 10,2 11,8 12,4 12,6 создание, подготовка
хорошо свариваемых сталей, ----- ---- ---- ---- ---- ---- промышленного производства
сварочных материалов и 5,1 23,5 5,1 5,9 6,2 6,3 материалов для разработки
технологии сварки для конструкций морской и
перспективного оборудования авиакосмической техники,
топливно-энергетического стройиндустрии,
комплекса (ТЭК), морской и машиностроения, оборудования
авиакосмической техники для ТЭК, обеспечивающих
нового поколения значительное повышение
потребительских качеств и
конкурентоспособности
продукции на мировом рынке;
создание высоконадежных
элементов конструкций активных
зон атомных и термоядерных
реакторов, а также ледостойких
буровых платформ
2. Создание принципиально новых 7,6 34,8 7,6 8,6 9 9,6 использование для изготовления
высокопрочных азотистых --- ---- --- --- --- --- высокопрочных корпусных
сталей аустенитно-ферритного 3,8 17,4 3,8 4,3 4,5 4,8 конструкций авиакосмической и
и мартенситного классов с морской техники нового
высокой коррозионной поколения, обеспечивающих
стойкостью и повышенной значительное снижение риска
вязкостью для использования коррозионного растрескивания и
в авиакосмической технике, увеличение междокового периода
медицине, бурильных трубах, морских судов; использование в
трубопроводах, судовой медицине для изготовления
арматуре, насосах и в другой имплантантов, эндопротезов и
продукции, эксплуатируемой в др., обеспечивающее экономию
экстремальных условиях дефицитного и дорогостоящего
сырья и исключение эффекта
"никелевой аллергии"
3. Создание контейнеров для 2,2 10,2 2,2 2,4 2,6 3 повышение надежности,
отработанного ядерного --- ---- --- --- --- --- безопасности и экономичности
топлива (ОЯТ) судовых и 1,1 5,1 1,1 1,2 1,3 1,5 продукции, создание уникальных
стационарных атомных контейнеров для
энергетических установок транспортировки и длительного
(АЭУ) с использованием (до 100 лет) хранения ОЯТ
конструкционных
малоактивированных
радиационно-стойких основных
и сварочных материалов
нового поколения
4. Создание комплексно 7,2 33 7,2 8,2 8,6 9 создание с использованием
легированных свариваемых --- ---- --- --- --- --- сплавов авиакосмической
титановых сплавов для 3,6 16,5 3,6 4,1 4,3 4,5 техники, глубоководных
авиакосмической техники, аппаратов, атомных
судостроения, атомной энергетических установок с
энергетики и медицины увеличенным в 1,5-2 раза
ресурсом работы, улучшение
качества медицинской
аппаратуры в хирургии,
ортопедии, стоматологии,
кардиологии и др.
5. Создание новых высокопрочных 15 70 15 17,8 18,2 19 создание корпусных конструкций
свариваемых, термически --- -- --- ---- ---- --- кораблей, самолетов,
неупрочняемых алюминиевых 7,5 35 7,5 8,9 9,1 9,5 вертолетов, ракет и
сплавов для морских судов, космических аппаратов нового
авиационной и поколения, современных
ракетно-космической техники, скоростных паромов типа
скоростных поездов и "катамаран", обтекателей
автомобильной промышленности глубоководной техники с
уникальными техническими
характеристиками (на 30-50
процентов выше мировых),
силовых элементов скоростных
поездов и новых автомобилей
(стоимость изготовления
продукции со сплавами из
скандия будет снижена в 1,5-2
раза)
6. Разработка и промышленное 1,4 6,6 1,4 1,6 1,8 1,8 обеспечение высокой
освоение перспективных --- --- --- --- --- --- коррозионной стойкости металла
сварочных материалов и 0,7 3,3 0,7 0,8 0,9 0,9 шва в потоке свинца и
технологий сварки для радиационной стойкости,
изготовления энергетического увеличение срока службы
оборудования безопасных АЭС конструкций в 2 раза,
с жидкометаллическим повышение надежности их работы
теплоносителем на основе при температурах до 1050
свинца градусов в условиях
коррозионного и эрозионного
воздействия, использование
результатов работы при
создании газотурбинных
установок нового поколения,
высокотемпературных установок
нефтеперерабатывающих,
нефтехимических и
металлургических производств
7. Создание принципиально новых 13,4 61,8 13,4 15,4 16,2 16,8 освоение пилотных технологий
многофункциональных покрытий ---- ---- ---- ---- ---- ---- получения многофункциональных
с высоким уровнем 6,7 30,9 6,7 7,7 8,1 8,4 покрытий с высоким уровнем
физических, экологических, каталитической активности,
физико-химических, магнитных и электрофизических
эксплуатационных параметров, высокой
характеристик и эффективных коррозионной, эрозионной и
технологий их нанесения при износостойкостью; улучшение
изготовлении деталей и функциональных характеристик и
конструкций перспективной конкурентоспособности
техники, обеспечивающих авиакосмической техники,
эксплуатацию изделий новой транспортных средств,
техники во всех нефтегазопроводов, буровых
климатических условиях в платформ, электронных систем,
течение 30-40 лет систем связи, оптоэлектроники,
приборных, навигационных и
вычислительных комплексов;
адаптация производства к новым
рыночным условиям
8. Создание новых 9,2 41,8 9,2 10,4 10,8 11,4 повышение физико-механических
интерметаллических --- ---- --- ---- ---- ---- характеристик высокопрочных
материалов и композиций на 4,6 20,9 4,6 5,2 5,4 5,7 конструкционных материалов в
основе алюминидов переходных 1,2-1,5 раза, снижение в 1,2-3
металлов, неравновесных раза габаритно-весовых
аморфных и нанофазных показателей при одновременном
структур со специфическими уменьшении до 50 процентов
свойствами стоимости композитов, снижение
на 15-25 процентов веса
конструкций автомобилей,
энергетических установок судов
и судовых агрегатов, ракет и
авиакосмической техники,
повышение в 2-7 раз срока
службы конструктивных
элементов нефте- и
газодобывающей, горнорудной и
химической промышленности
9. Разработка полимерных, 17,6 81,4 17,6 20,6 21,2 22 снижение массы корпусных
металлополимерных и ---- ---- ---- ---- ---- -- конструкций на 20-30
термопластичных 8,8 40,7 8,8 10,3 10,6 11 процентов, повышение
композиционных материалов с шумопоглощения и увеличение
регулируемыми демпфирующей способности
многофункциональными конструкций, снижение
свойствами заметности судов и летательных
аппаратов в широком диапазоне
длин волн; увеличение удельной
мощности и ресурса
электросиловых
преобразователей в 2-3 раза;
снижение стоимости и
трудоемкости изготовления
размеростабильных приборных
платформ; ликвидация
зависимости российских
производителей от зарубежных
фирм в производстве материалов
этого класса
10. Создание новых жаропрочных 10,2 47,2 10,2 11,8 12,4 12,8 обеспечение надежной работы
конструкционных материалов и ---- ---- ---- ---- ---- ---- высокотемпературных установок
сплавов, разработка и 5,1 23,6 5,1 5,9 6,2 6,4 нефтеперерабатывающих,
промышленное освоение нефтехимических и
технологий изготовления металлургических производств в
деталей и конструкций на их условиях воздействия рабочих
основе сред и критических температур;
снижение ресурсоемкости и
энергоемкости производства
деталей перспективных
газотурбинных и жидкостных
ракетных двигателей
11. Разработка технологии 1,4 6,6 1,4 1,6 1,8 1,8 использование квазикристаллов
изготовления --- --- --- --- --- --- в качестве покрытий изделий
квазикристаллических 0,7 3,3 0,7 0,8 0,9 0,9 для уменьшения коэффициента
материалов для уменьшения трения, износа и стирания
трения, электрохимической подложки, повышение прочности
защиты и водородной стали в сочетании с ростом
энергетики пластичности; применение
квазикристаллических
материалов в области
катализа, радиационной и
электрохимической защиты,
водородной энергетики,
экологическая чистота при
изготовлении
квазикристаллических
материалов
12. Разработка составов и 20,8 96,6 20,8 24,6 25,2 26 получение активных элементов
базовых технологий ---- ---- ---- ---- ---- -- лазерного качества с высокой
изготовления лазерных стекол 10,4 48,3 10,4 12,3 12,6 13 надежностью при работе в
нового поколения, оптических импульсных режимах с высокой
стекол, ситаллов, выходной мощностью излучения;
халькогенидных стекол, снижение себестоимости
радиационно стойких стекол, активных элементов; повышение
светочувствительных, качества оптического стекла по
термохромных и однородности; изготовление
электрохромных стекол, крупногабаритных ситалловых
заготовок очковых стекол заготовок для астрозеркал;
нового поколения производство имплантантов для
стоматологии и ортопедии;
производство оптических
элементов с нелинейными
свойствами для ИК-оптики
Инвестиционные проекты (капитальные вложения**)
13. Модернизация комплексов 18,5 114,5 15 25 20 54,5 экспериментальная отработка
технологического ---- ----- -- -- -- ---- технологий создания новых
оборудования для создания 18,5 114,5 15 25 20 54,5 конструкционных и
новых конструкционных и функциональных материалов для
функциональных материалов на судостроения и других отраслей
ФГУП "ЦНИИ КМ "Прометей", промышленности, обеспечение
г. Санкт-Петербург испытаний облученных
конструкционных материалов
14. Организация производства 7 7,84 7,84 - - - обеспечение широкомасштабного
микропорошков на базе ГУП - ---- ---- выпуска соединительных,
"ЦНИИМ", г. Санкт-Петербург 7 7,84 7,84 уплотнительных и износостойких
деталей и существенное
уменьшение импортных закупок
для нефтеперерабатывающей,
горно-добывающей,
дорожно-строительной и
металлургической
промышленности
Всего по разделу I 141,7 659,34 139,04 159,8 160,2 200,3
----- ------ ------ ----- ----- -----
83,6 390,84 80,94 92,4 90,1 127,4
в том числе:
НИОКР 116,2 537 116,2 134,8 140,2 145,8
----- ----- ----- ----- ----- -----
58,1 268,5 58,1 67,4 70,1 72,9
капитальные вложения 25,5 122,34 22,84 25 20 54,5
---- ------ ----- --- -- ----
25,5 122,34 22,84 25 20 54,5
II. Электронная компонентная база
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
1. Микроэлектроника
15. Разработка базовых 139,8 524,2 127,2 127,2 132,2 137,6 создание базовых технологий
технологий конструирования ----- ----- ----- ----- ----- ----- СБИС и ССИС на кремнии с
новых поколений сверхбольших 69,9 262,1 63,6 63,6 66,1 68,8 предельно достижимыми
интегральных схем (СБИС) и минимальными топологическими
сверхскоростных интегральных размерами, максимальной
схем (ССИС) с минимальными тактовой частотой 500 МГц и
размерами элементов 0,1-0,25 7 8
мкм для аппаратуры степенью интеграции 10 -10
сверхвысокого быстродействия транз/кр.; снижение стоимости
и сверхскоростной обработки проектирования и сборки РЭА
информации, в том числе специального и общего
базовой технологии назначения в 2-3 раза,
производства спецстойких снижение энергопотребления в
СБИС с минимальными 3-4 раза; повышение
размерами элементов 0,5-0,8 функциональных возможностей
мкм и полупроводниковых аппаратуры и снижение
приборов, включая стоимости единичной функции в
радиационно-стойкие 10-20 раз; возможность
серийного производства для
выпуска КМОП СБИС со степенью
5
интеграции до 2 х 10 вент/кр.
при сохранении группы
стойкости 2У-3У, сохранение
технологической независимости
и обеспечение безопасности
работы атомных станций
16. Разработка технологической 82 304,8 74,6 73,6 76,6 80 создание технологической базы
базы (среды) сквозного -- ----- ---- ---- ---- -- среды сквозного проектирования
автоматизированного 41 152,4 37,3 36,8 38,3 40 элементной базы и аппаратуры;
проектирования элементной сокращение сроков внедрения
базы и аппаратуры, перспективной элементной базы
включающей библиотеки в разработки аппаратуры;
элементов, библиотеки обеспечение технологической
макроблоков (СФ), независимости при разработке
технологическое обеспечение конкурентоспособной продукции;
приборных разработок с создание центров
привлечением зарубежных проектирования, сертификации и
партнеров, создание единой аттестации пластин,
базы данных разрабатываемых разработанных по алгоритмам
российских проектов, в том российских заказчиков;
числе разработка технологии разработка и реализация
проектирования механизма технологического
микроэлектронных ядер и взаимодействия в рамках единой
моделей для обработки, среды и разработки элементной
сжатия, передачи и базы и аппаратуры;
распознавания информации в создание конкурентоспособной
системах телекоммуникаций, в технологии проектирования
том числе цифрового СФ-блоков, СБИС "система на
телевидения и кристалле" с характеристиками,
информационного мониторинга не уступающими мировым
достижениям, позволяющей в
малые сроки и с наименьшими
затратами создавать
унифицированные комплексы
сверхвысокой
производительности в реальном
масштабе времени для различных
областей применения
17. Создание приборно- 30,2 65,6 20 14,6 15,2 15,8 в настоящее время за рубежом
технологического базиса ---- ---- -- ---- ---- ---- на основе SiGe серийно
производства 15,1 32,8 10 7,3 7,6 7,9 выпускаются СВЧ-транзисторы
сверхбыстродействующих БИС мощностью до 0,2 Вт на
типа БиКМОП и на основе SiGe диапазон частот до 3,0 ГГц и
для телекоммуникационных освоено производство
систем и перспективных специализированных ИС для
систем техники средств связи, а производство
ИС широкого применения
(операционных и
инструментальных усилителей)
отсутствует, не имеется
отечественной технологии БИС
на основе БиКМОП. Разработка
таких БИС позволит реализовать
анализаторы спектра с высокой
разрешающей способностью для
аппаратуры специального
применения; результаты работ
позволят улучшить
характеристики отечественной
измерительной и
приемопередающей техники,
систем радиолокации, средств
телекоммуникаций и цифрового
телевидения
18. Разработка СФ-блоков для - 312 - 100 104 108 создание функционально полной
обработки, сжатия и передачи --- --- --- --- номенклатуры СФ-блоков,
информации, в том числе 156 50 52 54 различающихся по
ядер: процессоры (сигнальные производительности и
и цифровые) и назначению и ориентированных
микроконтроллеры; на разработку СБИС "система на
цифроаналоговые, кристалле" для
аналого-цифровые конкурентоспособных
преобразователи; шины и электронных систем
интерфейсы (драйверы, мультимедиа, телекоммуникаций,
приемо-передатчики и т. д.); систем радиолокации,
специализированные блоки для космического мониторинга,
телекоммуникаций, включая транспорта, средств связи,
блоки для цифрового цифрового телевидения, систем
телевидения, радиорелейной безналичного расчета и
связи и АТМ-технологии идентификации
(аудио-видео сжатие,
цифровая фильтрация,
видеоконтроллеры, модемы,
узлы помехоустойчивого
кодирования,
АТМ-коммутатора,
приемопередающего
радиотракта, преобразования
Фурье и т. д.)
19. Разработка базовых 12 47,4 11,2 11,6 12 12,6 выпуск отечественных силовых
конструкций и технологий -- ---- ---- ---- -- ---- модулей на токи до 1400 А и
производства серии 6 23,7 5,6 5,8 6 6,3 напряжение 1200, 1800, 2500,
универсальных 3300, 4500 В, предназначенных
интегрированных силовых для применения в
IGBT-модулей и модулей преобразовательном
прижимной конструкции нового оборудовании, мощностью от
поколения на токи до 1400 А десятков кВА до десятков МВА в
и напряжение до 4500 В электроприводах транспортных
средств
20. Разработка базовых 10,6 43,4 10,2 10,6 11 11,6 обеспечение выпуска силовых
конструкций и технологий ---- ---- ---- ---- --- ---- модулей различных конструкций
производства полностью 5,3 21,7 5,1 5,3 5,5 5,8 и назначения
управляемых силовых
полупроводниковых приборов с
изолированным затвором
(IGBT) и
быстровосстанавливающихся
диодов (АКВ) на токи до
100 А (на кристалл) и
напряжение 1200, 1800, 2500,
3300, 4500 В
21. Разработка библиотеки - 58 - 18,8 19,2 20 разработка и освоение
базовых конструкций силовых -- ---- ---- -- производства силовой
управляемых биполярных и 29 9,4 9,6 10 элементной базы для выпуска
полевых приборов на конкурентоспособных силовых
напряжения до 6,0 кВ, а приборов, в которых остро
также нуждаются различные отрасли
быстровосстанавливающихся экономики, в том числе
диодов и силовых ИС на IGBT-модулей на токи 25-1000 А
напряжения до 2,5 кВ и напряжение от 600 В до
3300 В и комплектных БВД с
временем обратного
восстановления 0,05 мкс - 0,3
мкс
22. Разработка базовой - 62,4 - 20 20,8 21,6 разработка и освоение
конструкции и организация ---- -- ---- ---- производства типового ряда
серийного производства 31,2 10 10,4 10,8 интеллектуальных и силовых
"интеллектуальных" силовых модулей позволит создать
IGBT-модулей на токи до ресурсоэнергоэффективное
900 А и напряжения 1200 и преобразовательное
1700 В, а также серии оборудование с улучшенными
универсальных техническими характеристиками,
интегрированных силовых большей надежностью, меньшими
IGBT-модулей и модулей массогабаритными показателями
прижимной конструкции нового и стоимостью в интересах
поколения городского
электрифицированного
транспорта и транспортных
средств в добывающей
промышленности
2. Наноэлектроника и микромеханика
23. Разработка технологий 11,8 80 18,8 19,6 20,4 21,2 создание трехмерных
производства ---- -- ---- ---- ---- ---- микроизделий по технологии,
микромеханических элементов 5,9 40 9,4 9,8 10,2 10,6 обеспечивающей получение
для микросистемной техники субмикронных трехмерных
изделий без использования
дорогостоящих литографических
процессов, являющихся в
настоящее время основой
"кремниевой" технологии
24. Создание интеллектуальных 6 80 18,8 19,6 20,4 21,2 развитие наукоемкого, с низкой
нанотехнологических - -- ---- ---- ---- ---- энерго- и материалоемкостью
комплексов для наноэлементов 3 40 9,4 9,8 10,2 10,6 производства электронной
и терабитных техники - нового поколения
микромеханических конкурентоспособных
запоминающих устройств накопителей, превосходящих
существующий уровень на
несколько порядков по емкости
и скорости передачи данных
25. Разработка зондовых и ионных 11,4 80 18,8 19,6 20,4 21,2 создание приборов, значительно
нанотехнологий формирования ---- -- ---- ---- ---- ---- превосходящих традиционные
элементов с размерами менее 5,7 40 9,4 9,8 10,2 10,6 аналоги по эффективности,
10 нм и исследование надежности, ресурсу,
эмиссионных характеристик массогабаритным параметрам и
нанотрубных углеродных энергопотреблению; возможность
структур разработок микросистемной
техники на принципах
искусственного интеллекта, а
также разработки СБИС с
уровнем интеграции до
9 2
10 эл/см ; повышение
конкурентоспособности
разработанной радиоэлектронной
аппаратуры
26. Разработка библиотек и - 39,4 - 12,8 13 13,6 создание элементной базы для
базовых элементов ---- ---- --- ---- телекоммуникационной
наноэлектроники и 19,7 6,4 6,5 6,8 аппаратуры, в том числе для
микроэлектроники, в том мобильной связи, радаров и
числе: средств связи ВВСТ.234
нанодиодов;
нанотранзисторов;
нанодинисторов;
нановаристоров;
логических элементов;
функциональных устройств
3. Акусто- и магнитоэлектроника
27. Разработка технологии 10,2 66,2 16,4 16 16,6 17,2 разработка базовых технологий
нанотехнологического ---- ---- ---- -- ---- ---- и создание пьезокерамических
производства 5,1 33,1 8,2 8 8,3 8,6 материалов и акустоэлектронных
пьезокерамических материалов изделий с параметрами, не
и температуростабильных уступающими лучшим мировым
акустоэлектронных изделий образцам, организация
для систем связи, серийного выпуска этих
гидроакустики, медицины и материалов и
датчиков различного конкурентоспособных
назначения акустоэлектронных изделий;
экономический эффект от
реализации изделий составит не
менее 30 млн. рублей
28. Разработка базовых - 37,2 - 12 12,4 12,8 создание пьезоэлектронных
конструкций типового ряда ---- -- ---- ---- устройств нового поколения для
пьезоэлектронных устройств 18,6 6 6,2 6,4 применения в системах
нового поколения, в том гидроакустики, точного оружия,
числе: адаптивной оптики, охраны
интегрированных датчиков; морских и сухопутных границ,
фильтров, резонаторов, автомобильной электроники и
генераторов; медицины
пьезогироскопов и
пьезотрансформаторов
29. Разработка типового ряда - 43,8 - 14 14,6 15,2 создание ферритовых приборов,
перспективных ферритовых ---- -- ---- ---- устройств на МСВ и
приборов, трансформаторов, 21,9 7 7,3 7,6 трансформаторов радиодиапазона
устройств на для модернизации существующих
магнитостатических волнах и электронных систем и
магнитоэлектрических разработок систем 5-го
приборов микроволнового и поколения
радиодиапазона, в том числе:
высокодобротных резонаторов;
фазовращателей и
циркуляторов; вентилей и
ограничителей;
перестраиваемых фильтров;
переключателей
4. СВЧ-электроника
30. Разработка базовых 19,8 90,8 25,2 21 21,8 22,8 технологии проектирования,
технологий изготовления ---- ---- ---- ---- ---- ---- изготовления и серийного
мощных транзисторов и 9,9 45,4 12,6 10,5 10,9 11,4 выпуска мощных транзисторов и
монолитных СВЧ-микросхем на монолитных СВЧ-микросхем на
основе гетероструктур основе гетероструктур
материалов группы А3В5 для материалов группы А3В5 для
современных бортовых и бортовой и наземной аппаратуры
наземных радиоэлектронных радиолокации и средств связи
систем, унифицированных нового поколения; создание
приемно-передающих модулей с нового класса отечественных
высокой плотностью упаковки радиоэлектронных систем на
для АФАР дециметрового и базе новейших достижений в
сантиметрового диапазонов области СВЧ-полупроводниковой
электроники и развитие техники
активных фазированных антенных
решеток; обеспечение выпуска
современной
конкурентоспособной продукции
с высоким экспортным
потенциалом и техническими
характеристиками,
соответствующими лучшим
мировым аналогам
31. Реконструкция базовых 6,4 104,4 24 25,8 26,8 27,8 переход на новый технический
унифицированных --- ----- -- ---- ---- ---- уровень отечественной
технологических процессов 3,2 52,2 12 12,9 13,4 13,9 технологии изготовления мощных
для разработок и выпуска вакуумных СВЧ-приборов нового
мощных вакуумных поколения с высокими
СВЧ-приборов и эксплуатационными
комплексированных устройств характеристиками и повышенной
на их основе долговечностью для дальнейшего
развития высокопотенциальных
бортовых и наземных
радиоэлектронных систем, а
также миниатюрной аппаратуры
миллиметрового диапазона
32. Разработка технологии 9,6 45,6 12 10,8 11,2 11,6 технологии производства
изготовления современных --- ---- -- ---- ---- ---- твердотельных микроэлектронных
гетероструктур, широкозонных 4,8 22,8 6 5,4 5,6 5,8 гетероструктур на основе
полупроводниковых соединений арсенида галлия, нитрида
и новых диэлектрических галлия и карбида кремния на
материалов для приборов и пластинах диаметром до 100 мм,
МИС СВЧ-техники обеспечивающих последующую
размерную обработку менее
0,1 мкм
33. Разработка технологии и 3,4 26,2 6,2 6,4 6,6 7 создание метрической
базовых конструкций --- ---- --- --- --- --- аппаратуры нового поколения
установок нового поколения 1,7 13,1 3,1 3,2 3,3 3,5 для исследований параметров
для автоматизированного полупроводниковых структур,
измерения параметров активных элементов и МИС СВЧ в
нелинейных моделей процессе изготовления и сдачи
СВЧ-полупроводниковых продукции с целью повышения
структур, мощных процента выхода годных
транзисторов и МИС изделий, их долговечности и
СВЧ-диапазона надежности при эксплуатации
34. Разработка системы - 301,6 52,6 80 83 86 проведение модернизации
автоматизированного ----- ---- -- ---- -- существующих электронных
проектирования и библиотеки 150,8 26,3 40 41,5 43 систем и обеспечение
базовых конструкций разработки систем 5-го
перспективных ВЧ и поколения
СВЧ-приборов и интегральных
схем, в том числе:
генерации, обработки и
передачи ВЧ- и СВЧ-сигналов
в реальном масштабе времени;
мощных монолитных
СВЧ-микросхем на основе
гетероструктур материалов
А3В5;
унифицированных
приемо-передающих модулей;
СВЧ-транзисторов широкого
применения, в том числе
малошумящих;
унифицированных миниатюрных
сверхширокополосных
вакуумно-твердотельных
мощных СВЧ-модулей
5. Методология и технологии создания ЭКБ
35. Разработка системы - 220,4 34 60 62,4 64 создание средств ускоренного
автоматизированного ----- -- -- ---- -- проектирования широкой
проектирования СБИС "система 110,2 17 30 31,2 32 номенклатуры СБИС "система в
на кристалле" (с кристалле" (с использованием
использованием СФ-блоков), в российских и иностранных
том числе информационной СФ-блоков);
среды автоматизированного разработка базы данных,
проектирования СБИС "система содержащей библиотеки моделей
на кристалле" и СФ-блоков для всех уровней
проектирования, в том числе
библиотеки СФ-блоков,
обеспечивающих процесс
сквозного проектирования СБИС
специального и коммерческого
применения
36. Разработка библиотеки - 82,2 14,8 21,6 22,4 23,4 библиотека элементов по
элементов по классам, правил ---- ---- ---- ---- ---- классам, правила
проектирования СФ-блоков и 41,1 7,4 10,8 11,2 11,7 проектирования,
электронной компонентной ориентированные на технологии
базы, ориентированных на "кремниевых мастерских" с
перспективные технологии, в учетом достигнутого
том числе иностранные зарубежного уровня
37. Разработка системы - 49,4 - 16 16,4 17 современная электронная
автоматизированного ---- -- ---- --- компонентная база для
проектирования, библиотек и 24,7 8 8,2 8,5 миниатюрных навигационных
базовых элементов систем различного назначения:
микроэлектромеханических от перспективного
систем широкого применения высокоточного оружия и
на основе интегральных авиационно-космических
методов обработки кремния, в аппаратов до систем управления
том числе: автомобилями и катерами;
прецизионных акселерометров; методы проектирования
датчиков угловых скоростей микроэлектромеханических
(микро-механических систем и библиотеки основных
гироскопов); элементов
сверхпрецизионных
(виброрезонансных) сенсоров
измерения давления;
микропереключателей каналов
оптоволоконной связи;
других
микроэлектромеханических
систем
38. Разработка комплектов - 199 - 62,8 66,4 69,8 СБИС "система на кристалле" по
специализированных СБИС ---- ---- ---- ---- функциональной сложности и
"система на кристалле" 99,5 31,4 33,2 34,9 схемотехническим решениям
7 будут соответствовать
сложностью до 10 зарубежному уровню и обеспечат
транзисторов на кристалле создание массовой
для: малогабаритной аппаратуры на
цифрового телевидения; основе одной микросхемы,
цифрового радиовещания; включающей блоки
цифровой технологической телекоммуникаций, компьютеров,
радиотелефонной связи; навигации и др.; будет
других систем отработана методология
"сквозного"
автоматизированного
проектирования СБИС "система
на кристалле" на основе
СФ-блоков и библиотек микро- и
макроэлементов
39. Разработка системы - 62,4 - 20 20,8 21,6 разработка высокоэффективных
автоматизированного ---- -- ---- ---- устройств на ПАВ, ППАВ, ОВ
проектирования и библиотеки 31,2 10 10,4 10,8 позволит создать современные
базовых конструкций системы точного оружия, связи,
перспективных ПВО, радиочастотной
акустоэлектронных устройств идентификации
нового поколения, в том
числе:
изделий на ПАВ;
устройств на объемных
волнах;
изделий на приповерхностных
ПАВ
40. Создание физических - 102 24 25 26 27 научно обоснованные
принципов, моделирование и --- -- ---- -- ---- рекомендации для дальнейшего
разработка 51 12 12,5 13 13,5 развития электронной
физико-технологических компонентной базы
процессов, направленных на
создание перспективной
электронной компонентной
базы
41. Разработка функционально - 156 - 50 52 54 обеспечение комплектации,
полной номенклатуры --- -- -- -- ремонта и эксплуатации серийно
электронной компонентной 78 25 26 27 выпускаемых и модернизируемых
базы, необходимой для образцов ВВСТ современной
комплектации и модернизации электронной компонентной базой
серийно выпускаемых образцов
ВВСТ
6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база
42. Разработка библиотеки - 143 20 39,4 41 42,6 создание электронных систем
элементов и СФ-блоков ---- -- ---- ---- ---- вооружения, военной и
радиационностойкой 71,5 10 19,7 20,5 21,3 специальной техники,
электронной компонентной функционирующих в условиях
базы на основе технологий воздействия радиационных
кремний на изоляторе и факторов
кремний на сапфире, в том
числе:
процессоры (сигнальные и
цифровые процессоры);
микроконтроллеры;
цифроаналоговые,
аналого-цифровые
преобразователи;
шины и интерфейсы (драйверы,
приемопередатчики и т. д.);
логические схемы;
экспертиза и мониторинг
технических процессов по
обеспечению радиационной
стойкости электронной
компонентной базы
7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники
43. Разработка базового - 32,4 3,2 9,6 9,8 9,8 создание матричных
фотоэлектронного модуля на ---- --- --- --- --- унифицированных
основе инфракрасных 16,2 1,6 4,8 4,9 4,9 фотоэлектронных модулей с
смотрящих двухцветных повышенной информационной
многорядных матричных емкостью на базе фотодиодов из
фотоприемных устройств КРТ и антимонида индия,
(МФПУ) на базе фотодиодов из работающих в двух спектральных
КРТ и антимонида индия с диапазонах. Применение
цифровой обработкой и многоспектральных фотоприемных
повышенной информационной модулей в тепловизионных и
емкостью теплопеленгационных системах
выведет последние по дальности
и надежности обнаружения и
захвата целей, а также
помехозащищенности на
качественно новый уровень
44. Разработка базового - 32,4 3,2 9,6 9,8 9,8 разработка базового
фотоэлектронного модуля ---- --- --- --- --- унифицированного
нового поколения для 16,2 1,6 4,8 4,9 4,9 фотоэлектронного модуля
сканирующих тепловизионных формата не менее 8 х 288
систем, работающих в режиме элементов, предназначенного
ВЗН, с числом элементов для комплектации
накопления не менее 8 тепловизионных приборов нового
поколения, работающих в режиме
ВЗН;
увеличение числа рядов в МФПУ
позволит улучшить
фотоэлектрические параметры
МФПУ, увеличить надежность за
счет резервирования ФЧЭ,
улучшить качество
тепловизионных изображений
45. Разработка ряда базовых 1,4 36,8 4,2 10,8 11,2 10,6 создание типоразмерного ряда
фотоэлектронных модулей на --- ---- --- ---- ---- ---- охлаждаемых матричных
основе охлаждаемых 0,7 18,4 2,1 5,4 5,6 5,3 ИК-приемников на основе
фотодиодных матриц из фотодиодов и
антимонида индия и микроболометрических
микроболометров для элементов, чувствительных в
диапазонов спектра 3...5 и диапазоне 3...5 и 8...12 мкм
8...12 мкм формата формата 320 х 240, 384 х 288
320 х 240, 384 х 288 элементов и более. Возможность
элементов выпуска тепловизионных систем
гражданского и двойного
применения
46. Разработка МФПУ смотрящего - 14 - 4,6 4,6 4,8 создание смотрящего МФПУ на
типа на спектральный -- --- --- --- основе КРТ формата 128 х 128
диапазон 3...5 мкм с 7 2,3 2,3 2,4 спектрального диапазона 3...5
покадровым накоплением мкм с совмещенным покадровым
фотосигналов и цифровым накоплением и цифровым выводом
выводом информации информации, предназначенного
для комплектации
тепловизионных приборов нового
поколения; существенное
уменьшение темновых и фоновых
токов по сравнению с
фотодиодами спектрального
диапазона 8-12 мкм, переход к
более длительному времени
накопления по сравнению с
построчным накоплением
фотосигналов в диапазоне 8-12
мкм и повышение технических
характеристик МФПУ
47. Разработка унифицированных - 26,8 2,6 7,8 8,2 8,2 создание унифицированных
модулей аналоговой и ---- --- --- --- --- модулей для обработки сигналов
цифровой обработки сигналов 13,4 1,3 3,9 4,1 4,1 МФПУ формата 2 х 256, 4 х 288,
многорядных матричных 8 х 288 и др., обеспечивающих
фотоприемных устройств для функции аналого-цифрового
тепловизионных каналов преобразования сигналов МФПУ,
широкого применения суммирование сигналов с
задержкой для реализации
режима ВЗН, цифровую обработку
сигналов с проведением
коррекции неоднородности
чувствительности,
формирование сигналов
управления МФПУ и
синхронизацию с системой
сканирования, оптимизацию
режима работы МФПУ при
изменении условий
эксплуатации, формирование
видеосигнала для отображения
на мониторе
48. Разработка МОП - - 14 - 4,6 4,6 4,8 создание МОП - мультиплексора
мультиплексора с -- --- --- --- формата 128 х 128 с
интегрированием фототока в 7 2,3 2,3 2,4 интегрированием фототока в
ячейке для двухцветных ячейке для матриц фотодиодов
матричных ФПУ, на основе материалов
чувствительных в диапазонах кадмий-ртуть-теллур и
длин волн 3...5 и 8...14 мкм антимонида индия в обеспечение
выпуска матричных двухцветных
ФПУ нового поколения
49. Разработка микросхем - 16 1,6 4,6 5 4,8 создание унифицированного ряда
малошумящих операционных -- --- --- --- --- малошумящих операционных
усилителей (ОУ) для 8 0,8 2,3 2,5 2,4 усилителей, предназначенных
обработки сигналов для обработки сигналов
фотоприемных устройств фотоприемников (ФП) с
различных спектральных различным внутренним
диапазонов сопротивлением.
Унифицированный ряд включает в
себя двухканальный ОУ двух
типов для обработки сигналов
фотоприемников с низким и
высоким внутренним
сопротивлением
50. Разработка спецалгоритмов и - 26,8 2,6 7,8 8 8,4 разработка алгоритмов и
создание модулей цифровой ---- --- --- - --- модулей автоматического
обработки сигналов и 13,4 1,3 3,9 4 4,2 обнаружения, распознавания и
изображений, получаемых в сопровождения целей на основе
различных областях спектра с информации, получаемой радио-
применением технологий и оптико-электронными каналами
нейросетей и методов различного спектрального
локально-анизотропных диапазона комплексированных
признаков для решения задач систем; создание комплекта
обнаружения, распознавания и экспериментальных образцов
автосопровождения целей в модулей автоматического
реальном времени обнаружения, распознавания и
сопровождения целей и
проведение их испытаний
51. Разработка жидкофазных и 3 40,4 6,6 13,6 10 10,2 разработка жидкофазных
МОС-гидридных эпитаксиальных --- ---- --- ---- -- ---- эпитаксиальных структур
структур материала 1,5 20,2 3,3 6,8 5 5,1 материала
"кадмий-ртуть-теллур" для "кадмий-ртуть-теллур" с
крупноформатных матричных высоким уровнем параметров,
фотоприемников на пригодных для промышленного
спектральные диапазоны 3...5 производства матричных ФПУ на
и 8...12 мкм спектральные диапазоны 3...5 и
8...12 мкм
52. Разработка типоразмерного - 26,8 2,6 7,8 8,2 8,2 создание типоразмерного ряда
ряда микрокриогенных систем ---- --- --- --- --- микрокриогенных систем (МКС),
с повышенным ресурсом работы 13,4 1,3 3,9 4,1 4,1 обеспечивающих температурный
для охлаждения матричных режим работы нового поколения
фотоприемных устройств матричных фотоприемных
нового поколения устройств различных форматов
для спектральных диапазонов
3...5 и 8...12 мкм.
Основные характеристики:
холодопроизводительность -
0,4...1,2 Вт; тип МКС -
интегральный, Сплит-Стирлинг;
ресурс работы - не менее -
20000 час
53. Разработка базовых модулей - 6,2 0,6 1,8 1,8 2 создание базовых модулей
охлаждения на основе --- --- --- --- - охлаждения на основе
термоэлектрических 3,1 0,3 0,9 0,9 1 термоэлектрических охладителей
охладителей, в том числе на (ТЭО) для фотоприемников и
основе явлений в квантовых фотоприемных устройств (МОФ) с
ямах, для фотоприемников и улучшенными ТТХ, в том числе
фотоприемных устройств по энергопотреблению, весу и
ИК-диапазона габаритам, конкурентоспособных
на внешнем рынке (МОФ на
основе термоэлектрических
охладителей на базе Bi2 Te3,
Sb2 Te3 и твердых растворов Bi
- Те- Sе- Sb, в том числе с
использованием новых
квантоворазмерных явлений)
54. Разработка ультрафиолетового - 9,6 0,8 2,4 2,8 3,6 создание ЭОП на спектральный
ЭОП на основе фотокатодов с --- --- --- --- --- диапазон от 0,2 мкм до 0,4 мкм
отрицательным электронным 4,8 0,4 1,2 1,4 1,8 на основе принципиально нового
сродством фотокатода с отрицательным
электронным сродством
55. Разработка - 17,2 1,4 5,2 5,2 5,4 создание инфракрасного
высокочувствительного ---- --- --- --- --- фотоэлектрического модуля на
фотоэлектрического 8,6 0,7 2,6 2,6 2,7 основе ЭОП с фотокатодом на
инфракрасного модуля для структурах А3В5 с барьером
лазерных систем Шоттки, чувствительного в
круглосуточного видения спектральном диапазоне от 0,9
мкм до 2,0 мкм и работающего в
активно-импульсном режиме
совместно с импульсным лазером
для электронных систем
повышенной дальности действия,
в том числе для обнаружения и
распознавания воздушных
объектов на дальностях свыше
30 км, а также для медицинской
техники, дифференциальной
диагностики в онкологии,
маммографии, оптической
томографии и др.
56. Разработка высокоэффективных - 70,4 - 23,4 23,4 23,6 создание высокоэффективного
ЭОП на основе фотокатодов, ---- ---- ---- ---- инфракрасного ЭОП с квантовой
чувствительных в 35,2 11,7 11,7 11,8 эффективностью более 5% на
спектральном диапазоне от длине волны лямбда = 1,54 мкм
0,9 мкм до 1,65 мкм для оптико-электронных систем
с повышенной
помехозащищенностью и
обнаружительной способностью,
дальность действия которых в
ночных условиях на 60% больше,
чем у аналогичных систем на
основе ЭОП третьего поколения
для создания принципиально
нового класса приборных
комплексов и систем двойного
назначения
57. Создание межотраслевой - 18,4 1,8 5,2 5,6 5,8 разработка методологии оценки
интегрированной базы данных ---- --- --- --- --- перспективности исследований и
по исследованиям и 9,2 0,9 2,6 2,8 2,9 разработок, проводимых в
разработкам ИК-систем и рамках межведомственной
приборов двойного назначения целевой программы "Развитие
инфракрасной техники на
2002-2006 годы", создание
информационно-аналитической
базы данных, имеющихся в
данной области разработок
58. Разработка и освоение 0,8 5,6 1 1,4 1,4 1,8 разработка МКП с повышенной
технологии мелкоструктурных --- --- --- --- --- --- информативностью свыше 80
МКП с повышенной 0,4 2,8 0,5 0,7 0,7 0,9 штр/мм, улучшенными пороговыми
информативностью для ЭОПов характеристиками (фактор
четвертого поколения, шума - не более 1,5),
предназначенных для долговечностью более
перспективной техники 5 тыс. ч., термостойкостью
ночного видения о
более 550 С
59. Разработка базовой 1 6,6 1 1,8 1 2 создание нового поколения
технологии производства --- --- --- --- --- - высокоэффективных индикаторов
полупроводниковых 0,5 3,3 0,5 0,9 0,9 1 мирового уровня расширенного
индикаторов нового поколения диапазона свечения для
в широкой видимой области широкого применения в
спектра на основе народнохозяйственной и
антистоксовых люминофоров специальной аппаратуре
60. Разработка новых технологий 9 88,6 9 25,4 26,6 27,6 разработка принципиально новых
фотоники и оптоэлектроники --- ---- --- ---- ---- ---- систем фотонной обработки
на полупроводниковых 4,5 44,3 4,5 12,7 13,3 13,8 информации с
гетероструктурах производительностью,
многократно превышающей
предельную производительность
электронных
информационно-обрабатывающих
систем (в том числе разработка
технологии выращивания
функциональных
полупроводниковых
гетероструктур, диагностика и
сертификация функциональных
параметров, создание образцов
систем); создание на основе
полупроводниковых
гетероструктур новых типов
оптоэлектронных компонентов
61. Разработка охлаждаемых 10,8 105,8 12,8 27,4 32 33,6 создание светочувствительных
полупроводниковых структур и ---- ----- ---- ---- -- ---- многоэлементных структур,
устройств на их основе, 5,4 52,9 6,4 13,7 16 16,8 охлаждаемых фотоприемных
технологий производства устройств, в том числе
крупноформатных матричных двухцветных субматричных
фотоприемных комплексов на фотоприемников; создание
основе фотодиодов из базовой системы
теллурида кадмия-ртути, автоматизированного
двухцветных матричных проектирования охлаждаемых
фотоприемников на матричных фотоприемных
гетероструктурах с устройств
квантовыми ямами
ИК-диапазона спектра (3...5
и 8...12 мкм). Разработка
базовой системы
автоматизированного
проектирования охлаждаемых
матричных фотоприемных
устройств
62. Разработка 1 6,6 1 1,8 1,8 2 организация серийного
гетероэпитаксиальных --- --- --- --- --- - производства типового ряда
структур фоточувствительных 0,5 3,3 0,5 0,9 0,9 1 тепловизионной техники
слоев полноформатной двойного назначения в
ИК-матрицы и спектральной области 3...5 мкм
производственно- с чувствительностью на уровне
технологического базиса лучших зарубежных аналогов (не
создания фотоприемных 7 2
устройств с использованием более 5 х 10 Вт/см )
современных кремниевых
мультиплексоров
63. Разработка МОС-гидридных - 14,8 1,4 4,2 4,4 4,8 развитие МОС-гидридной
эпитаксиальных ---- --- --- --- --- эпитаксии позволит наладить
полупроводниковых 7,4 0,7 2,1 2,2 2,4 выпуск высококачественных
гетероструктур гетероструктур на соединениях
InGaAlAs(P) с толщинами
квантовых ям до 10 А и
планарной однородностью
электро-физических и
оптических характеристик на
уровне 1% для производства на
их основе квантово-каскадных
лазеров среднего ИК-диапазона,
фотокатодов для
электронно-оптических
преобразователей
64. Разработка протяженных - 6,6 0,6 1,8 2,2 2 создание активных элементов
активных элементов длиной до --- --- --- --- - длиной 120 мм, генерирующих в
120 мм из кристаллов KYW:Tm 3,3 0,3 0,9 1,1 1 диапазоне 1,85-1,95 мкм из
кристаллов KYW:Tm в безопасном
для глаз диапазоне
65. Разработка нелинейно- - 7 0,6 1,8 2,2 2,4 разработка нелинейно-
оптического материала на --- --- --- --- --- оптического материала на
основе монокристаллов 3,5 0,3 0,9 1,1 1,2 основе монокристаллов
(Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 (Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 заданной
концентрации с
оптимизированными свойствами
для конкретных заданных типов
взаимодействия с целью
разработки генераторов
суммарной частоты и
параметрических
преобразователей частоты
66. Разработка мощных одиночных - 37,4 3,8 11 11,2 11,4 создание мощных источников
полупроводниковых лазеров ---- --- --- ---- ---- накачки лазерных кристаллов на
(до 10 Вт), лазерных линеек 18,7 1,9 5,5 5,6 5,7 диапазон длин волн 0,78-1,06
(50-150 Вт) и матриц (свыше мкм с КПД ~50% м для систем
1 кВт), работающих в специального назначения, а
непрерывном режиме также для использования в
промышленных технологических
установках
67. Создание мощного - 46,2 4,6 13,4 14 14,2 создание фемтосекундного
широкодиапазонного ---- --- ---- -- ---- лазерного излучателя с диодной
фемтосекундного лазерного 23,1 2,3 6,7 7 7,1 накачкой, энергией в импульсе
излучателя на твердотельных до 100 мДж при длительности
активных средах с диодной 20-30 фс
накачкой
68. Создание твердотельных - 16,4 1,6 4,6 5 5,2 разработка высокоэффективных
лазерных модулей с ---- --- --- --- --- высокоресурсных многоцветных
полупроводниковой накачкой 8,2 0,8 2,3 2,5 2,6 (видимого диапазона) лазерных
непрерывного излучения модулей с полупроводниковой
мощностью до 10 Вт с длинами накачкой для информационных,
волн 0,4-0,7 мкм технологических и медицинских
целей, а также в интересах
комплексов специального
назначения
69. Разработка и создание - 16,4 1,6 4,6 5 5,2 создание модульной конструкции
типового ряда непрерывных ---- --- --- --- --- излучателя, позволяющей
твердотельных лазеров с 8,2 0,8 2,3 2,5 2,6 наращивать мощность от 10 до
накачкой линейками лазерных 100 Вт выходного излучения на
диодов средней мощностью до осевом типе колебаний с
100 Вт дифракционной расходимостью
КПД излучателя - более 50% от
мощности накачки
70. Разработка и создание - 27 2,6 7,8 8,2 8,4 создание экономичных мощных
базовой модели ---- --- --- --- --- кристаллических источников
технологического лазерного 13,5 1,3 3,9 4,1 4,2 лазерного излучения мощностью
излучателя средней мощностью до 1 кВт с полупроводниковой
1 кВт на основе накачкой для применения в
кристаллических активных различных технологиях
сред с накачкой
полупроводниковыми лазерами
71. Разработка микролазеров на - 6,8 0,6 1,8 2 2,4 разработка микролазеров для
основе активированных --- --- --- - --- диапазонов 1,3-1,5 мкм и 3.0
монокристаллических 3,4 0,3 0,9 1 1,2 мкм с диодной накачкой с целью
оптических волокон и применения в медицине, технике
пленочных структур и телекоммуникациях
72. Создание ряда - 33,2 - 11 11 11,2 создание:
высокоэффективных ---- --- --- ---- эксимерных лазеров
непрерывных и 16,6 5,5 5,5 5,6 ультрафиолетового диапазона
импульсно-периодических спектра на длинах волн 157 нм,
газовых лазеров УФ-, 193 нм, 248 нм и 308 нм с
видимого и ИК-диапазонов энергией в импульсе до 200 МДж
для использования в лазерных для отжига и кристаллизации
технологиях различного поверхностей полупроводниковых
назначения. Разработка материалов;
нормативной базы микроструктур, а также
реализации новых методов
лечения заболеваний в области
кардиохирургии, дерматологии,
офтальмологии и др.;
опытных образцов
цельнометаллических компактных
отпаянных СО -лазеров с
2
ресурсом не менее 10000 часов,
в том числе волноводных
лазеров с планарной геометрией
с ВЧ разрядом с мощностью до 1
кВт для технологии и медицины
и перестраиваемых лазеров с ВЧ
разрядом с компьютерным
управлением для
спектроскопических применений,
включая лидары (аналоги
отсутствуют);
ряда щелевых отпаянных
СО -лазеров с уровнем выходной
2
мощности от 0,1 до 1,5 кВт,
ряда образцов лазеров на парах
меди с уровнем выходной
мощности от 10 до 100 Вт и
технологии их изготовления,
создание образцов лазерных
технологических комплексов на
основе щелевых СО -лазеров и
2
лазеров на парах меди;
типового ряда СО -лазеров с
2
ВЧ-накачкой активной среды с
мощностью 1,5; 2,5 и 5 кВт,
ресурсом работы более 5000
часов, стабильностью излучения
не менее 2% и расходимостью
дифракционного качества
73. Разработка перспективной - 56,2 5,8 16,6 16,8 17 разработка базовых модулей,
элементной базы для лазерных ---- --- ---- ---- --- определяющих основные
локаторов дальнего действия 28,1 2,9 8,3 8,4 8,5 характеристики лазерных
локаторов и информационных
лазерных комплексов, в том
числе:
3-координатных приемных
модулей с чувствительностью до
3 х 10-17 Дж;
гибридных телевизионных
приемных модулей с
чувствительностью до 3 х 10-18
Дж на элемент;
быстродействующих сканирующих
устройств с полосой
пропускания не менее 1 кГц и
апертурой 20-200 млм;
модулей усиления лазерного
сигнала с энергией в импульсе
10-14 - 10-12 до значения 1 Дж
на основе явления вынужденного
рассеивания в нелинейных
средах.
Внедрение создаваемых ключевых
элементов в новые комплексы
позволит в 5...10 раз
уменьшить ошибки слежения
комплексов за динамическими
объектами, сократить время
обзора контролируемого
пространства, увеличить
дальность наблюдения
74. Разработка лазерных - 21,8 2,2 6,4 6,6 6,6 создание лазерных
стереодатчиков для ---- --- --- --- --- стереодатчиков с точностью
робототехнических 10,9 1,1 3,2 3,3 3,3 измерения дальности 0,1-0,3%
комплексов, лазерных позволит на порядок сократить
дальномеров время измерительных операций в
машиностроении, на
транспортных магистралях, в
медицине (например, при
изготовлении ортопедических
изделий), обеспечить
автоматизацию управления
полетов летательных аппаратов
на сверхмалых высотах и при
посадке
75. Разработка новых - 16,4 1,6 4,6 5 5,2 создание нового класса
высокоэффективных оптических ---- --- --- --- --- кристаллов для
сред на основе кристаллов 8,2 0,8 2,3 2,5 2,6 крупногабаритных оптических
германия, двойных окон, проходной оптики,
вольфраматов и боратов, работающей в экстремальных
алюминиевой шпинели, условиях, для видимого и
нелинейного кристалла КРТ, ИК-диапазонов и микролазеров с
халькогенидных стекол и диодной накачкой
стекол на основе сульфидов
цинка и свинца
76. Совершенствование технологии 8,4 55 8,4 14,8 15,8 16 создание промышленных образцов
производства оптического --- ---- --- ---- ---- -- оптического волокна для линий
волокна и оптоволоконных 4,2 27,5 4,2 7,4 7,9 8 связи со сверхнизкими потерями
датчиков, в том числе и оптических линий передачи
активного волокна, информации; создание образцов
волноводных планарных и датчиков физических величин
канальных структур на для контроля производственных
различных материалах процессов в машиностроении,
атомной энергетике, химической
промышленности; разработка
базовой технологии получения
активного волокна,
позволяющего усиливать
оптические сигналы в
магистральных линиях связи,
что позволит увеличить
расстояния между
ретрансляторами до 200 км
77. Разработка гаммы оптических - 14,8 - 4,6 5 5,2 создание двулучепреломляющего
волокон с повышенными ---- --- --- --- одномодового волокна с
оптическими и механическими 7,4 2,3 2,5 2,6 повышенной устойчивостью к
характеристиками изгибам и высокопрозрачного в
УФ-области низкодисперсионного
волокна для диагностики плазмы
78. Разработка - 14,8 - 4,6 5 5,2 разработка номенклатуры
радиационностойких стекол с ---- --- --- --- стекол, необходимой для
особыми оптическими и 7,4 2,3 2,5 2,6 создания космической оптики;
термооптическими свойствами расширение номенклатуры
для высокоразрешающих атермальных стекол для
аэрокосмических упрощения конструкции изделия,
фотографических объективов уменьшения требований по
термостабилизации космического
комплекса в целом
79. Разработка особо чистых - 22,4 2,2 6,4 6,8 7 создание новых химических
веществ для новых марок ---- --- --- --- --- продуктов для получения
оптических стекол 11,2 1,1 3,2 3,4 3,5 оптических стекол с
повышенными характеристиками
80. Разработка образцов - 12 1,2 3,6 3,6 3,6 разработка и опытное
сравнения и лазерных -- --- --- --- --- производство образцов
отражателей с высокими 6 0,6 1,8 1,8 1,8 высокоэффективных отражателей
эксплуатационными свойствами для твердотельных лазеров
в УФ-, видимой и ИК- видимого и ближнего
областях спектра на базе ИК-диапазонов и элементной
высокоотражающих базы оптико-электронных
диффузионных материалов приборов (интегрирующие сферы,
ламбертовские ослабители,
стандартные образцы сравнения
и т. д.); повышение
эффективности твердотельных
лазеров, увеличение ресурса их
работы, снижение себестоимости
и возможность создания
фотометрических и
спектрофотометрических
приборов нового поколения
81. Разработка одномодового - 15,4 1,2 3,6 3,6 7 создание
волокна на основе ---- --- --- --- --- фотоннокристаллических
фотоннокристаллических 7,7 0,6 1,8 1,8 3,5 структур и разработка на их
структур основе оптического волокна,
позволяющего реализовать
одномодовый режим
распределения в широком
спектральном диапазоне
82. Создание - 33,2 3,2 9,6 9,8 10,6 разработка объективов на
фотолитографического ---- --- --- --- ---- основе отечественного флюорита
объектива для тиражирования 16,6 1,6 4,8 4,9 5,3 для формирования изображения
сверхбольших интегральных на длине волны 193 нм
схем с элементами разрешения (эксимерный лазер)
0,15-0,18 мкм и стенда для
его сборки, юстировки и
испытаний
83. Разработка управляемых - 12,6 1,2 3,6 3,6 4,2 создание управляемых
интерференционных ---- --- --- --- --- интерференционных покрытий и
тонкопленочных элементов на 6,3 0,6 1,8 1,8 2,1 элементов на их основе,
основе явления фазового обеспечивающих исключение
перехода возможной взаимной диффузии и
полупроводник-металл в химических реакций между
тонких слоях оксида ванадия слоями и подложкой в условиях
и их модификациях, высоких температур и с
полученных за счет глубоким подавлением мешающего
интегрирования с другими излучения в видимой и ближней
родственными материалами ИК-областях спектра
84. Разработка новых оптических - 16,4 1,6 4,6 5 5,2 восстановление производства
клеев для склеивания ---- --- --- --- --- оптических клеев, не
оптических элементов между 8,2 0,8 2,3 2,5 2,6 уступающих зарубежным аналогам
собой и с элементами
конструкций приборов
назначения
85. Разработка оптоэлектронных - 16,4 1,6 4,6 5 5,2 разработка средств контроля и
модулей с использованием ---- --- --- --- --- мониторинга атмосферы земной и
методов Фурье-спектрометрии, 8,2 0,8 2,3 2,5 2,6 водной поверхности по
в том числе многоканальных выявлению выбросов опасных, в
том числе отравляющих, газов в
чрезвычайных ситуациях, утечек
газопроводов, аномалий
распределения природных газов
и др.
86. Разработка стенда метрологии - 16,4 1,6 4,6 5 5,2 разработка методов и создание
функциональных характеристик ---- --- --- --- --- аппаратуры для измерения
элементов терагерцовой 8,2 0,8 2,3 2,5 2,6 функциональных характеристик
фотоники, спинтроники и полупроводниковых
ИК-оптоэлектроники на гетероструктур и системного
полупроводниковых моделирования функций: (i) -
гетероструктурах параллельной оптической
логики, (ii) - квантовой
(фотонной) логики, (iii) -
оперативной оптической памяти,
основанной на оптической
ориентации спинов, (iv) -
чтения битовых и аналоговых (в
т. ч. тепловых) изображений и
(v) - квантовой
голографической телепортации
87. Разработка акустически - 16,8 2 4,6 5 5,2 создание оптоволоконных
управляемых оптоволоконных ---- - --- --- --- устройств (модуляторов,
устройств, электро- и 8,4 1 2,3 2,5 2,6 перестраиваемых фильтров) с
светоуправляемых акустическим управлением
жидкокристаллических параметрами пропускаемого
устройств для недисплейных через волокно света на основе
применений, а также пьезоэлектрических пленок ZnO
голографических технологий со значительно уменьшенными
создания нейроподобных оптическими потерями и
систем увеличенными функциональными
возможностями;
применение устройств в
оборудовании связи, волоконных
интерферометрах, гироскопах,
для дальнометрии, нелинейной
оптики и др.;
создание технологии и
изготовление
пространственно-временных
модуляторов света на основе
новых материалов, а также
быстродействующих
ЖК-модуляторов для
использования в системах
оптической обработки
информации, в т. ч. для записи
динамических голограмм
88. Разработка многослойных - 16,4 1,6 4,6 5 5,2 создание многослойных
оптических покрытий на ---- --- --- --- --- оптических покрытий деталей из
оптические элементы из 8,2 0,8 2,3 2,5 2,6 германия, кремния,
материалов, работающих в лейкосапфира, оптической
ИК-области спектра для керамики и др., работающих в
нового поколения ИК-области спектра
тепловизионных приборов и
приборов ночного видения
8. Радиокомпоненты и ЭВП
89. Разработка типового ряда - 68,4 6 20 20,8 21,6 создание перспективных
электровакуумных приборов, ---- - -- ---- ---- электровакуумных приборов,
коммутационных и пассивных 34,2 3 10 10,4 10,8 коммутационных и пассивных
радиоэлектронных радиоэлектронных компонентов,
компонентов, необходимых для позволяющих провести
комплектации и модернизации модернизацию существующих
серийно выпускаемых образцов образцов ВВСТ с применением
ВВСТ, в том числе: современной электронной
импульсные, модуляторные, компонентной базы и
генераторные и возможность разработки
приемоусилительные лампы; электронных систем пятого
тиратроны; поколения
разрядники;
фотоэлектронные умножители;
электронно-лучевые трубки;
магнитоуправляемые контакты
90. Разработка типового ряда - 47,2 6 13,2 13,8 14,2 создание ферритовых приборов,
перспективных приборов, ---- -- ---- ---- ---- устройств на МСВ и
трансформаторов, устройств 23,6 3 6,6 6,9 7,1 трансформаторов
на магнитостатических волнах радиодиапазона, позволяющих
и магнитоэлектрических проводить модернизацию
приборов микроволнового и существующих электронных
радиодиапазона, в том числе: систем и возможность
высокодобротных резонаторов; разработки систем пятого
фазовращателей и поколения
циркуляторов;
вентилей и ограничителей;
перестраиваемых фильтров;
переключателей
9. Обеспечивающие работы
91. Разработка информационной - 62,8 13 16 16,6 17,2 создание баз данных,
среды автоматизированного ---- --- -- ---- ---- содержащих библиотеки моделей
проектирования СБИС "система 31,4 6,5 8 8,3 8,6 для всех уровней
на кристалле" и СФ-блоков проектирования, в том числе и
библиотеки СФ-блоков,
обеспечивающих процесс
сквозного проектирования СБИС
специального и коммерческого
применения
92. Разработка межведомственной - 39,2 8 10 10,4 10,8 обеспечение межведомственной
информационно-аналитической ---- - -- ---- ---- координации по вопросам
и справочной системы по: 19,6 4 5 5,2 5,4 разработки, производства и
вопросам разработки, развития перспективной ЭКБ, в
производства и развития ЭКБ; том числе унифицированной базы
технологическим маршрутам данных по технологическим
отечественных и иностранных маршрутам отечественных и
производителей ЭКБ, иностранных производителей
библиотек элементов и ЭКБ, библиотек элементов и
СФ-блоков; СФ-блоков, порядку учета и
продукции, производимой на использованию библиотек,
иностранных предприятиях на разработанных Центрами
основе отечественных проектирования, в том числе
разработок (фотошаблонов); для продукции, производимой на
контролю и определению иностранных предприятиях на
потребностей в закупках основе отечественных
иностранной ЭКБ и разработок (фотошаблонов)
обеспечению централизованных
закупок
93. Создание комплекса - 32,2 7 8 8,4 8,8 прямое внедрение международных
основополагающих стандартов ---- --- - --- --- стандартов и актуализации
по обеспечению качества, 16,1 3,5 4 4,2 4,4 действующего фонда нормативных
надежности и документов. Комплекс
конкурентоспособности основополагающих стандартов,
перспективных ЭРИ на основе обеспечивающих создание нового
сопоставительного анализа поколения документов на
требований российских и поставку ЭРИ
международных стандартов
(MIL STD, НАТО, МЭК, ИСО и
др.) на электронные
компоненты
94. Разработка комплекса средств - 25,2 - 8 8,4 8,8 создание средств измерений и
измерений и эталонов, ---- - --- --- эталонов на базе перспективных
реализующих требования 12,6 4 4,2 4,4 технологий, обеспечивающих
российских и международных требуемую точность, сходимость
стандартов на ЭРИ, в том и воспроизводимость
числе стандартов MIL STD, результатов измерений и
НАТО, МЭК и ИСО испытаний
95. Разработка новых и - 25,2 - 8 8,4 8,8 комплекс нормативных
совершенствование ---- - --- --- документов, регламентирующих
существующих методов 12,6 4 4,2 4,4 методы испытаний и контроля
испытаний на ВВФ и контроля ЭРИ нового поколения и
качества ЭРИ нового критерии оценки их годности по
поколения, в том числе результатам испытаний
субмикронной и
нанотехнологии,
акустоэлектроники,
оптоэлектроники,
твердотельных СВЧ-изделий.
Разработка критериев оценки
годности изделий с
применением современных
методов и средств
физико-технического анализа
и неразрушающего контроля
96. Создание и внедрение нового - 30,2 5 8 8,4 8,8 нормативно-техническое
поколения основополагающих ---- --- - --- --- обеспечение электронной
стандартов, в том числе по: 15,1 2,5 4 4,2 4,4 компонентной базы и систем на
проектированию СБИС "система ее основе, в том числе:
на кристалле" на основе описание характеристик и
СФ-блоков, в том числе и на форматов передачи;
основе международной тестирование СФ-блоков в
кооперации; составе СБИС "система на
надежности и качеству; кристалле";
экологической безопасности; защита интеллектуальной
экономической рентабельности собственности;
производства; порядок включения в состав
CALS-технологии СБИС "система на кристалле"
Инвестиционные проекты (капитальные вложения**)
97. Организация серийного - 46,8 - 15 15,6 16,2 освоение выпуска
производства ---- -- ---- ---- световозрастающих пленок
световозвращающих пленок в 46,8 15 15,6 16,2 двойного применения, не
ГУП "НПО "Астрофизика", уступающих по техническому
г. Москва уровню лучшим мировым
аналогам. Планируемый годовой
объем выпуска - 1,5 млн. кв. м
98. Техническое перевооружение - 46,9 - 15 15,6 16,3 выпуск оптоэлектронных систем
производства оптоэлектронных ---- -- ---- ---- наблюдения высокого
систем и элементов, 46,9 15 15,6 16,3 пространственного и
работающих в спектральном спектрального разрешения
диапазоне от аэрокосмического базирования с
ультрафиолетового до ресурсом эксплуатации до 10
инфракрасного в ГУП "ВНЦ лет
"ГОИ им. С.И.Вавилова",
г. Санкт-Петербург
99. Создание производственных 140 10,1 10,1 - - - создание сверхчистого
мощностей под выпуск --- ---- ---- производства для обеспечения
сверхбыстродействующих 140 10,1 10,1 потребности отечественного
интегральных схем в ОАО рынка в сверхбольших
"Ангстрем-2М", г. Москва интегральных схемах с
топологическими нормами
0,35-0,5 микрона для
использования в специальных
видах электронной техники и в
различных отраслях
промышленности и народного
хозяйства
100. Создание межотраслевого - 58 - 20 19 19 ускоренная разработка основной
центра проектирования СБИС -- -- -- -- номенклатуры СБИС "система на
"система на кристалле" с 58 20 19 19 кристалле"
последующей организацией
распределенной структуры
сети отраслевых центров
проектирования системного
уровня в ФГУП "НИИМА
"Прогресс", г. Москва
101. Создание центра изготовления - 166,9 - 50 56,6 60,3 обеспечение национальной
фотошаблонов для ----- -- ---- ---- безопасности страны при
субмикронного производства 166,9 50 56,6 60,3 разработке и модернизации
СБИС на отечественных и стратегически значимых систем
зарубежных "кремниевых ВВСТ
мастерских" в ОАО
"Российская электроника",
г. Москва
102. Создание центра - 28 - 10 9 9 ускоренная разработка основной
проектирования перспективной -- -- - - номенклатуры СФ-блоков
электронной компонентной 28 10 9 9
базы в ГП "НИИ ЭТ",
г. Воронеж
103. Создание центра - 28 - 10 9 9 создание государственного
проектирования перспективной -- -- -- - центра по регулированию и
электронной компонентной 28 10 9 9 контролю для определения
базы в ГУП "НПЦ "Элвис", потребности в закупках
г. Москва иностранной ЭКБ, осуществлению
закупок и применению ЭКБ в ГУП
НПЦ "Элвис"
Всего по разделу II 528,6 5312,7 692,7 1480 1539,2 1600,8
----- ------ ----- ---- ------ ------
334,3 2848,7 351,4 800 832 865,3
в том числе:
НИОКР 388,6 4928 682,6 1360 1414,4 1471
----- ---- ----- ---- ------ -----
194,3 2464 341,3 680 707,2 735,5
капитальные вложения 140 384,7 10,1 120 124,8 129,8
--- ----- ---- --- ----- -----
140 384,7 10,1 120 124,8 129,8
III. Технологии вычислительных систем
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
104. Разработка технологий 12,8 51,2 9,6 13 13,6 15 создание производственных
производства и монтажа ---- ---- --- --- ---- --- участков для выпуска
электронных модулей на 6,4 25,6 4,8 6,5 6,8 7,5 электронных модулей на частоте
частоте 800-1200 МГц 800-1200 МГц, необходимых для
производства современных
конкурентоспособных
электронных устройств
вычислительной техники и
средств автоматизации;
повышение качества годных МПП
и модулей, позволяющих снизить
их себестоимость;
экономический эффект - сотни
миллионов рублей, в том числе
за счет отказа от импорта
готовых электронных устройств;
повышение технологической
независимости страны
105. Развитие технологий 11,4 67,4 4,6 20 21 21,8 создание задела по
разработки системного и ---- ---- --- -- ---- ---- направлениям:
прикладного программного 5,7 33,7 2,3 10 10,5 10,9 1) технологии представления
обеспечения спецификаций параллельных и
распределенных компьютерных
комплексов, операционных
систем и предметных областей
для основных классов
компьютерных приложений;
2) технологии баз знаний;
3) технологии параллельного
программирования;
4) технологии взаимодействия
"человек - компьютер", включая
технологии виртуальной
реальности.
Создание интегрированных
открытых компьютерных сред для
проектирования системных и
прикладных программных
продуктов, обеспечивающих
поддержку концептуального
проектирования программ,
методологии RAD, коллективного
проектирования, а также
реализации в программных
продуктах технологий баз
знаний и новейших моделей
взаимодействия "человек -
компьютер"; создание
комплексной технологической
оснастки российской индустрии
программного обеспечения,
позволяющего создавать
программные продукты мирового
уровня; экономический
эффект - сотни миллионов
рублей.
106. Исследование архитектур, 11,4 51 6,2 14 15 15,8 в результате выполнения работ
разработка и подготовка ---- ---- --- -- --- ---- будет актуализирована
производства 5,7 25,5 3,1 7 7,5 7,9 технология проектирования СБИС
микропроцессоров и и получена технологическая
микропроцессорных СБИС для документация для производства
высокопроизводительных комплектов СБИС и
компьютеров и вычислительных микропроцессоров для
комплексов компьютеров, в том числе
комплекта СБИС для обработки
сигналов и изображений,
процессоров сигналов, СБИС для
нейрокомпьютеров,
микропроцессоров реального
времени, СБИС для
межпроцессорных коммутаторов
107. Разработка технологий 46 208,2 59 48,4 50 50,8 разработка кластерных
создания компьютеров и -- ----- ---- ---- -- ---- компьютерных систем на основе
вычислительных комплексов 23 104,1 29,5 24,2 25 25,4 электронных и оптоэлектронных
высокой и сверхвысокой коммутаторов, бинарных
производительности, компьютеров на базе
нейрокомпьютеров и эмуляционных комплектов СБИС;
адаптивных вычислительных суперкомпьютеров и рабочих
систем станций на основе сигнальных
микропроцессоров с
быстродействием до 100 Тфлопс
на универсальных
микропроцессорах и 10 млрд.
оп/сек на сигнальных;
нейрокомпьютеры на основе
аналого-цифровых и цифровых
нейрочипов; ряда управляющих
микросупер-ЭВМ для адаптивных
ИВС с элементами
искусственного интеллекта,
высокопроизводительных
вычислительных комплексов с
самоорганизующимися ОС на
основе использования
виртуальной сенсорики;
реализация технологии
LONWORKS, разработка
программно-технического
комплекса (ПТК), позволяющего
сократить затраты на
промышленную разведку и
освоение нефтегазовых залежей
за счет реализации трехмерных
моделей;
создание ПТК для сетевой
структуры систем управления
воздушными и морскими судами
по технологии автоматического
наблюдения с системой
"ГЛОНАСС/GPS";
разработка многоканального
регистратора с использованием
активной защиты и
твердотельного накопителя,
позволяющего в малых габаритах
осуществить сохранность
информации при воздействии
высоких температур
о
(t = 11000 С) и больших
ударных нагрузок;
создание базовых модульных
вычислительных средств для
построения
сверхпроизводительных
вычислительных комплексов
гидроакустических систем
подводных и надводных кораблей
108. Создание и развитие 7,8 46,8 10 12 12 12,8 создание операционных систем
перспективных операционных --- ---- -- -- -- ---- для перспективных аппаратных
систем и СУБД 3,9 23,4 5 6 6 6,4 платформ, обеспечивающих
высокую степень защиты
информации и обладающие
следующими свойствами:
мобильность, поддержка
Интернет-технологий и режима
реального времени, реализация
многопроцессорного и
многопотокового режимов
работы, в том числе
унифицированная
гибконастраиваемая
операционная система для
адаптивных вычислительных
систем с элементами
искусственного интеллекта;
обеспечение лицензионной
чистоты программных продуктов
и воспроизведения
международных стандартов на
программные интерфейсы и
интерфейсы представления
данных
Всего по разделу III 89,4 424,6 89,4 107,4 111,6 116,2
---- ----- ---- ----- ----- -----
44,7 212,3 44,7 53,7 55,8 58,1
в том числе НИОКР 89,4 424,6 89,4 107,4 111,6 116,2
---- ----- ---- ----- ----- -----
44,7 212,3 44,7 53,7 55,8 58,1
IV. Технологии телекоммуникаций
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
109. Разработка технологий 64,0 284 58 68 78 80 обеспечение взаимодействия
создания перспективных ---- --- -- -- -- -- систем и комплексов
интегрированных систем и 32,0 142 29 34 39 40 спутниковой (с цифровой
комплексов связи обработкой информации и
(спутниковой, радиорелейной многолучевыми антеннами на
радиосвязи) и передачи борту космических аппаратов),
данных для стационарных и цифровой и аналого-цифровой
подвижных объектов радиорелейной и радиосвязи, в
(авиационных, морских и том числе на транспортных
сухопутных) средствах сухопутного,
воздушного, морского
базирования; разработка
локальных бортовых
информационных сетей на базе
ВОЛС (в международном
стандарте АRING636);
создание конкурентоспособного
отечественного оборудования,
повышение безопасности
полетов; уменьшение
номенклатуры
программно-аппаратных средств
в 1,5 раза; снижение
массогабаритных характеристик
и энергопотребления в 1,5-2
раза; внедрение
низкоэнергетических станций
спутниковой связи, обеспечение
информационной совместимости
стационарных и подвижных
средств связи, в том числе на
транспортных средствах
сухопутного, воздушного и
морского базирования;
снижение эксплуатационных
расходов на обслуживание
оборудования;
сохранение существующих и
создание новых (2,5-3 тыс.)
рабочих мест
110. Разработка технологий 60,0 270 60,0 66,0 70,0 74,0 разработка (в соответствии с
создания цифровых ---- --- ---- ---- ---- ---- утвержденной Правительством
высокоскоростных систем и 30,0 135 30,0 33,0 35,0 37,0 Российской Федерации
комплексов передачи Концепцией развития рынка
информации по телекоммуникационных услуг
волоконно-оптическим линиям Российской Федерации на
связи, систем связи на 2001-2010 годы) оборудования
основе АТМ-технологий, для применения на
аппаратно-программных взаимоувязанной сети связи
средств адаптивных России и ведомственных сетях с
звукотехнических комплексов учетом поэтапного перевода
с использованием средств существующих сетей на новые
мультимедиа технологии, в том числе
технических средств подвижной
транкинговой радиосвязи для
обеспечения связи
муниципальных служб, скорой
помощи, аварийных служб и
т. п.;
создание комплекса
оборудования для
широкополосных цифровых сетей
интегрального обслуживания на
базе АТМ-технологий как одного
из стратегических направлений
развития сетей связи общего
пользования, корпоративных и
ведомственных сетей, средств
абонентского доступа,
обеспечение требований их
информационной безопасности;
обеспечение импортозамещения;
создание новых рабочих мест:
0,5 тыс. человек - в науке,
2,5 тыс. человек - в
промышленности
111. Разработка технологий 68,0 132 48 42 22 20 разработка профессиональной
создания систем и комплексов ---- --- -- -- -- -- студийной передающей
цифрового телевизионного и 34,0 66 24 21 11 10 аппаратуры и абонентского
радиовещания оборудования для работы в
перспективных сетях
телевизионного и радиовещания,
соответствующих
общеевропейским стандартам. В
2002-2004 годах - создание
опытных зон (гг. Нижний
Новгород, Санкт-Петербург,
Москва), в 2005-2006 годах -
интеграция опытных зон в
общероссийскую сеть и в
международные сети цифрового
телевизионного вещания;
обеспечение интерактивного
режима в целях предоставления
нового вида услуг населению
(многопрограммность, повышение
качества изображения и звука,
Интернет, заказ программ,
электронные платежи и др.);
адаптация международных
стандартов к условиям России;
передача сигналов по линиям
связи в едином цифровом
стандарте независимо от
функционального назначения
(телефония, передача данных,
телевидение, звуковое вещание,
мультимедиа и др.) и за счет
этого повышение эффективности
использования любых линий
связи;
экономия частотного ресурса в
3-4 раза;
организация производства
нового сектора массового
телевизионного оборудования
112. Разработка базовых - 50 2 10 22 16 разработка массовых
технологий создания массовых -- - -- -- -- мультимедийных абонентских
абонентских терминалов на 25 1 5 11 8 терминалов на базе российских
основе серийных телевизоров унифицированных телевизоров -
для интерактивного цифрового мультимедийных абонентских
телевидения с возможностью терминалов для представления
работы в сети Интернет населению широкого спектра
услуг в интерактивном режиме,
в том числе:
- прием аналоговых и цифровых
программ вещательного
телевидения;
- получение мультимедийной
информации, передаваемой по
каналам цифрового телевидения
и сети Интернет;
- электронная почта, заказ
билетов, товаров и услуг,
видео по заказу и другие виды
информационного сервиса;
- дистанционный мониторинг
жилища, интеграция охранных
систем и системы безопасности
жилища
113. Разработка технологии - 44 6 8 12 18 разработка цифровых
создания цифровых -- - - -- -- передвижных телевизионных
передвижных телевизионных 22 3 4 6 9 комплексов для работы в
комплексов для оперативного перспективных сетях
сбора, обработки, телевизионного вещания по
формирования вещательных европейским стандартам с
программ с мест событий и применением современных
передачи по интегрированным отечественных технических
цифровым каналам связи средств обработки аудио-,
(спутниковым, радиорелейным, видеоинформации,
кабельным) каналообразующих средств,
систем электропитания,
технологий термоизоляции,
звукоизоляции и т. д.
Соответствие создаваемых
комплексов международным
стандартам, в том числе:
- цифровая обработка
видеосигналов в соответствии с
рекомендациями SMPTE 259-С
(SDI);
- возможность передачи
сформированных программ как по
аналоговым, так и по цифровым
каналам связи (DVB, MPEG-2);
количество одновременно
работающих телевизионных
видеокамер до двадцати;
- широкий набор
изобразительных средств
(видеоэффектов, титров и др.)
- применение дисковой
видеозаписи;
- цифровая обработка звука
114. Разработка базовых - 16 2 4 4 6 создание нового поколения
технологий создания цифровых -- - - - - конкурентоспособного
систем технологического 8 1 2 2 3 российского оборудования
телевидения для различных цифровых систем
отраслей экономики технологического телевидения,
в том числе для управления
производственными процессами в
различных отраслях экономики;
импортозамещение, сохранение
научно-технического потенциала
российских разработчиков и
производителей
115. Разработка технологий 5,0 105 11,0 27,6 32,4 34,0 разработка и производство
создания метрологического --- ---- ---- ---- ---- ---- автоматизированного
радиоизмерительного 2,5 52,5 5,5 13,8 16,2 17,0 радиоизмерительного
оборудования, в том числе метрологического оборудования
универсальных общего применения для
автоматизированных использования как в процессе
комплексов на основе создания радиоэлектронной
магистрально-модульной аппаратуры (научные и
архитектуры и аппаратуры для промышленные предприятия), так
контроля параметров и оценки и в процессе эксплуатации
качества каналов связи радиоэлектронных систем и
комплексов; сохранение
отечественного сектора
производства современного
конкурентоспособного
радиоизмерительного
оборудования с ориентацией на
создание нового поколения
автоматизированных
измерительных и
диагностических систем на
основе модульного принципа
построения и приборов для
контроля параметров и оценки
качества каналов связи;
снижение объема закупок
импортной измерительной
техники (импортозамещение);
сокращение в 1,5-2 раза
трудоемкости
контрольно-поверочных и
регулировочных работ при
производстве радиоэлектронного
оборудования; повышение
качества выпускаемой
продукции; экономия
электроэнергии в 1,5-2 раза;
сохранение квалифицированных
кадров
Инвестиционные проекты (капитальные вложения**)
116. Модернизации стендовой базы 0,3 6,2 3 1,4 1,8 - значительное расширение
для обеспечения испытаний --- --- - --- --- использования
волоконно-оптических линий 0,3 6,2 3 1,4 1,8 волоконно-оптических линий
связи в ГУП "СПО "Арктика", связи с одновременным
г. Северодвинск улучшением их технических,
экономических и
эксплуатационных характеристик
Всего по разделу IV 197,3 918,8 200 230,6 240,2 248
----- ----- ----- ----- ----- ---
98,8 462,5 101,5 116 121 124
в том числе:
НИОКР 197 912,6 197 229,2 238,4 248
---- ----- ---- ----- ----- ---
98,5 456,3 98,5 114,6 119,2 124
капитальные вложения 0,3 6,2 3 1,4 1,8 -
--- --- - --- ---
0,3 6,2 3 1,4 1,8
V. Технологии радиотехнических систем
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
117. Разработка и - 24,2 4,6 5,8 6,8 7 создание элементов системы,
совершенствование цифровых ---- --- --- --- --- экспериментальных образцов,
методов и систем обработки 12,1 2,3 2,9 3,4 3,5 программного алгоритмического
сверхширокополосных обеспечения САПР, совместимых
СВЧ-сигналов в реальном с CALS-технологиями
масштабе времени для РТР,
РЭП на основе перспективных
цифровых, нейрокомпьютерных
и нанотехнологий
118. Разработка технологии 6 29,2 5,6 6,8 8,4 8,4 создание технологий разработки
создания радиолокационных и - ---- --- --- --- --- радиотехнических систем с
радиотехнических адаптивных 3 14,6 2,8 3,4 4,2 4,2 улучшенными характеристиками
систем, функционирующих в углового и спектрального
сверхширокополосном разрешения для аппаратуры и
диапазоне частот и приборов измерительной
обеспечивающих обработку, техники, систем ближней
запоминание и формирование навигации, для комплексной
сигналов по пеленгу и системы воздействия на каналы
несущей частоте распространения
электромагнитного излучения
сверхширокополосного
диапазона, защиты объектов от
террористов путем
радиоэлектронного подавления
радиоканалов дистанционного
подрыва, для информационной
защиты объектов; технологии
защиты ЛА на основе
использования
пространственно-помехового
комплекса
119. Разработка и - 26,2 5 6,2 7,4 7,6 разработка новых принципов
совершенствование базовых ---- --- --- --- --- синтеза систем РЭРП на базе
технологий 13,1 2,5 3,1 3,7 3,8 новейших технологий обработки
(аппаратурно-технических и сигналов, конформных антенных
технологических решений), решеток, микро- и
создание эффективных систем СВЧ-технологий, цифровой
и комплексов техники, разработка
радиоэлектронной разведки и экспериментальных образцов по
подавления радиоэлектронных наиболее важным направлениям
средств (РЭРП) в целях техники (разрабатываемые
обеспечения защиты наземных, средства не имеют аналогов в
морских, воздушных и мире)
космических объектов
Обновление раздела прекращено в 2014 году. Версии законов могут не быть актуальными.
Детские вопросы
Почему на улице мы видим только взрослых голубей? Где их птенцы?
Павел Квартальнов
Почему нет обоняния у рыбы?
Сергей Глаголев
Почему от сладкого болят поврежденные зубы?
Юлия Кондратенко
Почему у человека некоторые органы — парные, а другие — в одном экземпляре?
Вера Башмакова
Картинка дня
Самый крупный аммонит
27.04 • Александр Мироненко
