ПРИЛОЖЕНИЕ N 1
к подпрограмме "Развитие
электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы
Индикатор и показатели реализации мероприятий подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы
---------------------------------------T---------T------------------------------------------------
¦ ¦ Значение
¦ Единица +-----T---------T----------T----------T----------
¦измерения¦2007 ¦2008 год ¦ 2009 год ¦ 2010 год ¦ 2011 год
¦ ¦год ¦ ¦ ¦ ¦
---------------------------------------+---------+-----+---------+----------+----------+----------
Индикатор
Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,1 - 0,09
уровень электроники
Показатели
Увеличение объемов продаж млрд. 19 25 31 38 45
изделий электронной техники рублей
Количество разработанных базовых - 3-5 9-11 16-18 24-27 36-40
технологий в области электронной
компонентной базы (нарастающим итогом)
Количество завершенных разрабатываемых - 3 9 10 17 29
проектов базовых центров
проектирования функционально сложной
электронной компонентной базы, в том
числе сверхбольших интегральных схем
типа "система на кристалле"
(нарастающим итогом)
Количество объектов технологического - 1 1 5 8 18
перевооружения электронных производств
на основе передовых технологий
(нарастающим итогом)
Количество завершенных поисковых - 1 3 7 10-12 13-16
технологических
научно-исследовательских работ
(нарастающим итогом)
Количество реализованных мероприятий - 4 11-12 14-16 19-22 32-36
по созданию электронной компонентной
базы, соответствующей мировому уровню
(типов, классов новой электронной
компонентной базы)
(нарастающим итогом)
Количество создаваемых рабочих мест - 450 950-1020 1700-1800 2360-2500 3550-3800
(нарастающим итогом)
____________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 2
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы
П Е Р Е Ч Е Н Ь
мероприятий подпрограммы "Развитие
электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------------------------T-------T-------------------------------------T-------------------------------
¦ 2007- ¦ В том числе ¦
Мероприятия ¦ 2011 +------T------T-------T-------T-------+ Ожидаемые результаты
¦годы - ¦ 2007 ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦
¦ всего ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦
------------------------------------+-------+------+------+-------+-------+-------+-------------------------------
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"
1. Разработка технологии 312 105 147 60 - - создание базовой технологии
производства мощных ---- --- --- -- производства мощных
сверхвысокочастотных 208* 70 98 40 сверхвысокочастотных
транзисторов на основе транзисторов на основе
гетероструктур материалов гетероструктур материалов
группы А В группы А В для бортовой и
3 5 3 5
наземной аппаратуры,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
2. Разработка базовой технологии 265 - - 60 120 85 создание базовой технологии
производства монолитных --- -- --- -- производства монолитных
сверхвысокочастотных 175 40 79 56 сверхвысокочастотных
микросхем и объемных микросхем и объемных
приемо-передающих приемо-передающих
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
субмодулей X-диапазона субмодулей X-диапазона на
основе гетероструктур
материалов группы А В для
3 5
бортовой и наземной аппаратуры
радиолокации, средств связи,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
3. Разработка базовой технологии 467 153 214 100 - - создание технологии
производства мощных --- --- --- --- производства мощных
сверхвысокочастотных 312 102 143 67 транзисторов
полупроводниковых приборов на сверхвысокочастотного
основе нитридных диапазона на основе нитридных
гетероэпитаксиальных структур гетероэпитаксиальных структур
для техники связи, радиолокации
4. Разработка базовой технологии 770 - - 136 337 297 создание технологии
и библиотеки элементов для --- --- --- --- производства на основе
проектирования и производства 512 90 225 197 нитридных гетероэпитаксиальных
монолитных интегральных схем структур мощных
сверхвысокочастотного сверхвысокочастотных
диапазона на основе нитридных монолитных интегральных схем с
гетероэпитаксиальных структур рабочими частотами до 20 ГГц
для связной техники,
радиолокации, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
5. Разработка базовой технологии 357 120 166 71 - - создание базовой технологии
производства --- --- --- -- производства компонентов для
сверхвысокочастотных 231 80 111 40 сверхвысокочастотных
компонентов и интегральных схем диапазона
сложнофункциональных блоков 2-12 ГГц с высокой степенью
для сверхвысокочастотных интеграции для аппаратуры
интегральных схем высокой радиолокации и связи бортового
степени интеграции на основе и наземного применения, а
гетероструктур "кремний - также бытовой и автомобильной
германий" электроники, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
6. Разработка базовой технологии 532 - - 100 246 186 создание базовой технологии
производства --- --- --- --- производства
сверхвысокочастотных 352 64 164 124 сверхвысокочастотных
интегральных схем высокой интегральных схем диапазона
степени интеграции на основе 2-12 ГГц с высокой степенью
гетероструктур "кремний - интеграции для аппаратуры
германий" радиолокации и связи бортового
и наземного применения, а
также бытовой и автомобильной
электроники, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
7. Разработка аттестованных 171 60 76 35 - - разработка
библиотек --- -- -- -- аттестованных библиотек
сложнофункциональных 121 40 51 30 сложнофункциональных
блоков для проектирования блоков для проектирования
сверхвысокочастотных и широкого спектра
радиочастотных интегральных сверхвысокочастотных
схем на основе гетеростуктур интегральных схем на SiGe
"кремний - германий" с рабочими частотами до
150 ГГц, разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
8. Разработка базовых технологий 207 - - 40 100 67 создание базовых технологий
проектирования кремний - --- -- --- -- проектирования на основе
германиевых 142 30 67 45 библиотеки
сверхвысокочастотных и сложнофункциональных блоков
радиочастотных интегральных широкого спектра
схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных
библиотеки интегральных схем на SiGe с
сложнофункциональных блоков рабочими частотами до
150 ГГц, разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
9. Разработка базовых технологий 163,5 43,5 60 60 - - создание базовых технологий
производства элементной базы ----- ---- -- -- производства и конструкций
для ряда силовых герметичных 110 30 40 40 элементной базы для
модулей высокоплотных высокоплотных источников
источников вторичного вторичного электропитания
электропитания вакуумных и сверхвысокочастотных приборов
твердотельных и узлов аппаратуры, разработка
сверхвысокочастотных приборов комплектов документации в
и узлов аппаратуры стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
10. Разработка базовых технологий 153 - - - 89 64 создание базовых конструкций и
производства ряда силовых --- -- -- технологии производства
герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных,
высокоплотных источников высокоплотных источников
вторичного электропитания вторичного электропитания
вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов
сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе
и узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии
с применением бескорпусной
элементной базы, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
11. Разработка базовых конструкций 162,5 38,5 74 50 - - создание технологии массового
и технологии производства ----- ---- -- -- производства ряда корпусов
корпусов мощных 110 25 52 33 мощных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой"
транзисторов X, C, S, L и P - сборки, разработка комплектов
диапазонов из малотоксичных документации в стандартах
материалов с высокой единой системы конструкторской,
теплопроводностью технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
12. Разработка базовых конструкций 150 - - 45 60 45 создание базовых
теплоотводящих элементов --- -- -- -- конструктивных рядов элементов
систем охлаждения 97 30 40 27 систем охлаждения аппаратуры Х
сверхвысокочастотных приборов и С - диапазонов наземных,
Х и С - диапазонов на основе корабельных и воздушно-
новых материалов космических комплексов
13. Разработка базовой технологии 93 - - - 60 33 создание технологии массового
производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного
элементов систем охлаждения 62 32 30 ряда элементов систем
сверхвысокочастотных приборов охлаждения аппаратуры Х и С -
Х и С - диапазонов на основе диапазонов наземных,
новых материалов корабельных и воздушно-
космических комплексов,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
14. Разработка базовых технологий 141,5 45,5 53 43 - - создание технологии массового
производства суперлинейных ----- ---- -- -- производства конструктивного
кремниевых 92 30 35 27 ряда сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов
транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры,
локации и контрольной
аппаратуры, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
15. Разработка конструктивно- 170 - - - 95 75 создание конструктивно-
параметрического ряда --- -- -- параметрического ряда
суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов
транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры,
локации и контрольной
аппаратуры, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
16. Разработка технологии 147 60 45 42 - - разработка метрологической
измерений и базовых --- -- -- -- аппаратуры нового поколения
конструкций установок 97 40 27 30 для исследования и контроля
автоматизированного измерения параметров полупроводниковых
параметров нелинейных моделей структур, активных элементов и
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных монолитных
полупроводниковых структур, интегральных схем в
мощных транзисторов и производстве и при их
сверхвысокочастотных использовании
монолитных интегральных схем
X, C, S, L и P - диапазонов
для их массового производства
17. Исследование и разработка 161 57 54 50 - - создание технологии
базовых технологий для --- -- -- -- унифицированных
создания нового поколения 107 38 36 33 сверхширокополосных приборов
мощных вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня
сверхвысокочастотных приборов мощности сантиметрового
и гибридных малогабаритных диапазона длин волн и
сверхвысокочастотных модулей с сверхвысокочастотных
улучшенными массогабаритными магнитоэлектрических приборов
характеристиками, для перспективных
магнитоэлектрических радиоэлектронных систем и
приборов сверхвысокочастотного аппаратуры связи космического
диапазона, в том числе: базирования, разработка
циркуляторов и фазовращателей, комплектов документации в
вентилей, высокодобротных стандартах единой системы
резонаторов, перестраиваемых конструкторской,
фильтров, микроволновых технологической и
приборов со спиновым производственной документации,
управлением для перспективных ввод в эксплуатацию
радиоэлектронных систем производственной линии
двойного применения
18. Разработка базовых конструкций 141 - - - 89 52 разработка конструктивных
и технологии производства --- -- -- рядов и базовых технологий
нового поколения мощных 95 60 35 производства
вакуумно-твердотельных сверхширокополосных приборов
сверхвысокочастотных приборов среднего и большого уровня
и гибридных малогабаритных мощности сантиметрового
сверхвысокочастотных модулей с диапазона длин волн и
улучшенными массогабаритными сверхвысокочастотных
характеристиками, магнитоэлектрических приборов
магнитоэлектрических приборов для перспективных
сверхвысокочастотного радиоэлектронных систем и
диапазона, в том числе: аппаратуры связи космического
циркуляторов и фазовращателей, базирования, разработка
вентилей, высокодобротных комплектов документации в
резонаторов, перестраиваемых стандартах единой системы
фильтров, микроволновых конструкторской,
приборов со спиновым технологической и
управлением для перспективных производственной
радиоэлектронных систем документации, ввод в
двойного применения эксплуатацию производственной
линии
19. Исследование и разработка 130 45 45 40 - - создание технологических
процессов и базовых технологий --- -- -- -- процессов производства
нанопленочных малогабаритных 87 30 30 27 нанопленочных малогабаритных
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
резисторно- резисторно-
индуктивно-емкостных матриц индуктивно-емкостных матриц
многофункционального многофункционального
назначения для печатного назначения для печатного
монтажа и монтажа, создание базовой
сверхбыстродействующих технологии получения
(до 150 ГГц) приборов на сверхбыстродействующих
наногетероструктурах с (до 150 ГГц) приборов на
квантовыми дефектами наногетероструктурах с
квантовыми дефектами,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
20. Разработка базовых конструкций 85 - - - 45 40 создание конструктивных рядов
и технологии производства -- -- -- и базовых технологий
нанопленочных малогабаритных 57 30 27 производства нанопленочных
сверхвысокочастотных малогабаритных
резисторно- сверхвысокочастотных
индуктивно-емкостных матриц резисторно-индуктивно-емкостных
многофункционального матриц многофункционального
назначения для печатного назначения для печатного
монтажа монтажа, разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
21. Разработка базовой технологии 246 90 86 70 - - создание базовой технологии
сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- -- производства элементов и
диодов, матриц, узлов 164 60 57 47 специальных элементов и блоков
управления и портативных портативной аппаратуры
фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин
миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения
волн на основе средств связи, радиолокационных
магнитоэлектронных станций, радионавигации,
твердотельных и измерительной техники,
высокоскоростных цифровых автомобильных радаров, охранных
приборов и устройств с и сигнальных устройств,
функциями адаптации и разработка комплектов
цифрового диаграммообразования документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944
------ ----- ---- ---- ---- ---
3349 545 680 668 827 629
Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"
22. Разработка базовой технологии 202 51 71 80 - - создание технологии
радиационно стойких ----- -- ---- ---- изготовления микросхем с
сверхбольших интегральных схем 134,8 34 47,4 53,4 размерами элементов 0,5 мкм на
уровня 0,5 мкм на структурах структурах "кремний на
"кремний на сапфире" диаметром сапфире" диаметром 150 мм,
150 мм разработка правил
проектирования базовых
библиотек элементов и блоков
цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем
расширенной номенклатуры для
организации производства
радиационно стойкой элементной
базы, обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и
систем, работающих в
экстремальных условиях
(атомная энергетика, космос,
военная техника)
23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии
радиационно стойких ----- ---- ----- изготовления микросхем с
сверхбольших интегральных схем 210,3 39,6 170,7 размерами элементов 0,35 мкм
уровня 0,35 мкм на структурах на структурах "кремний на
"кремний на сапфире" диаметром сапфире" диаметром 150 мм,
150 мм разработка правил
проектирования базовых
библиотек элементов и блоков
цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных
схем, обеспечивающих создание
расширенной номенклатуры
быстродействующей и высоко
интегрированной радиационно
стойкой элементной базы
24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического
проектирования и ----- ---- ---- -- базиса (технология
конструктивно- 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые
технологических решений технологии), позволяющего
библиотеки логических и разрабатывать радиационно
аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие
оперативных запоминающих интегральные схемы на
устройств, постоянных структурах "кремний на
запоминающих устройств, изоляторе" с проектной нормой
сложнофункциональных до 0,25 мкм
радиационно стойких блоков
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,25 мкм
25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического
проектирования и ----- ---- ----- базиса (технология
конструктивно - 240 54,3 185,7 проектирования, базовые
технологических решений технологии), позволяющего
библиотеки логических и разрабатывать радиационно
аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие
оперативных запоминающих интегральные схемы на
устройств, постоянных структурах "кремний на
запоминающих устройств, изоляторе" с проектной нормой
сложнофункциональных до 0,18 мкм
радиационно стойких блоков
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,18 мкм
26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического
технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления
изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и
пьезоэлектрической и базовой технологии создания,
магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации
проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной
пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы
элементной базы
27. Разработка базовых 261 - - - 56 205 создание технологического
технологических процессов ----- ---- ----- процесса изготовления
изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм и
пьезоэлектрической и создания, изготовления и
магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой
проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной
пассивной радиационно стойкой компонентной базы
элементной базы
28. Разработка технологии "кремний 218,8 78 83,2 57,6 - - разработка расширенного ряда
на сапфире" изготовления ряда ----- -- ---- ---- цифровых процессоров,
лицензионно-независимых 145,9 52 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных
радиационно стойких запоминающих программируемых и
комплементарных металл-окисел перепрограммируемых устройств,
полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых
интегральных схем цифровых преобразователей в радиационно
процессоров обработки стойком исполнении для
сигналов, микроконтроллеров и создания специальной
схем интерфейса аппаратуры нового поколения
29. Разработка технологии структур 374 - - - 74,5 299,5 создание технологии
с ультратонким слоем кремния ----- ---- ----- проектирования и изготовления
на сапфире 249,5 49,8 199,7 микросхем и
сложнофункциональных блоков на
основе ультратонких слоев на
структуре "кремний на
сапфире", позволяющей
разрабатывать радиационно
стойкие сверхбольшие
интегральные схемы с высоким
уровнем радиационной стойкости
30. Разработка базовой технологии 213,1 60,5 80,6 72 - - разработка конструкции и модели
и приборно-технологического ----- ---- ---- -- интегральных элементов и
базиса производства 135,4 37 50,4 48 технологического маршрута
радиационно стойких изготовления радиационно
сверхбольших интегральных схем стойких сверхбольших
"система на кристалле", интегральных схем типа
радиационно стойкой силовой "система на кристалле" с
электроники для аппаратуры расширенным температурным
питания и управления диапазоном, силовых
транзисторов и модулей для
бортовых и промышленных систем
управления с пробивными
напряжениями до 75 В и
рабочими токами коммутации до
10 А
31. Разработка элементной базы 109,2 28 33,2 48 - - создание ряда микронанотриодов
радиационно стойких ----- -- ---- -- и микронанодиодов с наивысшей
интегральных схем на основе 79,5 22 25,5 32 радиационной стойкостью для
полевых эмиссионных долговечной аппаратуры
микронанотриодов космического базирования
32. Создание информационной базы 251 - - - 61,1 189,9 разработка комплекса моделей
радиационно стойкой ----- ---- ----- расчета радиационной стойкости
электронной компонентной базы, 167,3 40,7 126,6 электронной компонентной базы
содержащей модели интегральных в обеспечение установления
компонентов, функционирующих в технически обоснованных норм
условиях радиационных испытаний
воздействий, создание
математических моделей
стойкости электронной
компонентной базы, создание
методик испытаний и аттестации
электронной компонентной базы
Всего по направлению 2 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229
------ --- ----- ----- ----- -----
1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6
Направление 3 "Микросистемная техника"
33. Разработка базовых технологий 302 93 112 97 - - создание базовых технологий и
микроэлектромеханических --- -- --- -- комплектов технологической
систем 166 61 75 30 документации на изготовление
микроэлектромеханических
систем контроля давления,
микроакселерометров с
чувствительностью по двум и
трем осям, микромеханических
датчиков угловых скоростей,
микроактюаторов
34. Разработка базовых конструкций 424 - - 75 228 121 разработка базовых конструкций
микроэлектромеханических --- -- --- --- и комплектов необходимой
систем 277 60 141 76 конструкторской
документации на изготовление
чувствительных элементов:
микросистем контроля давления;
микроакселерометров;
микромеханических датчиков
угловых скоростей;
микроактюаторов с напряжением
управления, предназначенных
для использования в
транспортных средствах,
оборудовании топливно-
энергетического комплекса,
машиностроении, медицинской
технике, робототехнике,
бытовой технике
35. Разработка базовых технологий 249 94 110 45 - - создание базовых технологий и
микроакустоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов необходимой
систем 161 61 70 30 технологической документации
на изготовление
микроакустоэлектромеханических
систем, основанных на
использовании поверхностных
акустических волн (диапазон
частот до 2 ГГц) и объемно-
акустических волн (диапазон
частот до 8 ГГц),
пьезокерамических элементов,
совместимых с интегральной
технологией микроэлектроники
36. Разработка базовых конструкций 418 - - 71 225 122 разработка базовых конструкций
микроакустоэлектромеханических --- -- --- --- и комплектов необходимой
систем 280 60 143 77 конструкторской документации
на изготовление пассивных
датчиков физических величин:
микроакселерометров;
микрогироскопов на
поверхностных акустических
волнах;
датчиков давления и
температуры;
датчиков деформации, крутящего
момента и микроперемещений;
резонаторов
37. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий
микроаналитических систем --- -- -- изготовления элементов
72 34 38 микроаналитических систем,
чувствительных к газовым,
химическим и биологическим
компонентам внешней среды,
предназначенных для
использования в аппаратуре
жилищно-коммунального
хозяйства, в медицинской и
биомедицинской технике для
обнаружения токсичных,
горючих и взрывчатых
материалов
38. Разработка базовых конструкций 224 - - 64 102 58 создание базовых конструкций
микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических систем,
164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры
жилищно-коммунального
хозяйства, медицинской и
биомедицинской техники;
разработка датчиков и
аналитических систем
миниатюрных размеров с высокой
чувствительностью к сверхмалым
концентрациям химических
веществ для осуществления
мониторинга окружающей среды,
контроля качества пищевых
продуктов и контроля утечек
опасных и вредных веществ в
технологических процессах
39. Разработка базовых технологий 151 57 59 35 - - создание базовых технологий
микрооптоэлектромеханических --- -- -- -- выпуска трехмерных оптических
систем 109 38 41 30 и акустооптических
функциональных элементов,
микрооптоэлектромеханических
систем для коммутации и
модуляции оптического
излучения, акустооптических
перестраиваемых фильтров,
двухмерных управляемых матриц
микрозеркал микропереключателей
и фазовращателей
40. Разработка базовых конструкций 208 - - 35 112 61 разработка базовых конструкций
микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- и комплектов, конструкторской
систем 145 30 75 40 документации на изготовление
микрооптоэлектромеханических
систем коммутации и модуляции
оптического излучения
41. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий
микросистем анализа магнитных --- -- -- изготовления микросистем
полей 72 34 38 анализа магнитных полей на
основе анизотропного и
гигантского магниторезистивного
эффектов, квазимонолитных и
монолитных гетеромагнитных
пленочных структур
42. Разработка базовых конструкций 214 - - 54 104 56 разработка базовых конструкций
микросистем анализа магнитных --- -- --- -- и комплектов конструкторской
полей 137 30 69 38 документации на
магниточувствительные
микросистемы для применения в
электронных системах
управления приводами, в
датчиках положения и
потребления, бесконтактных
переключателях
43. Разработка базовых технологий 119 42 45 32 - - разработка и освоение в
радиочастотных --- -- -- -- производстве базовых
микроэлектромеханических 89 28 31 30 технологий изготовления
систем радиочастотных
микроэлектромеханических
систем и компонентов,
включающих микрореле,
коммутаторы, микропереключатели
44. Разработка базовых конструкций 166 - - 32 87 47 разработка базовых конструкций
радиочастотных --- -- -- -- и комплектов конструкторской
микроэлектромеханических 119 30 58 31 документации на изготовление
систем радиочастотных
микроэлектромеханических
систем - компонентов,
позволяющих получить резкое
улучшение массогабаритных
характеристик, повышение
технологичности и снижение
стоимости изделий
45. Разработка методов и средств 81 41 40 - - - создание методов и средств
обеспечения создания и -- -- -- контроля и измерения
производства изделий 54 30 24 параметров и характеристик
микросистемной техники изделий микросистемотехники,
разработка комплектов
стандартов и нормативных
документов по безопасности и
экологии
Всего по направлению 3 2768 429 476 540 858 465
---- --- --- --- --- ---
1845 286 317 360 572 310
Направление 4 "Микроэлектроника"
46. Разработка технологии и 443 173 148,9 121,1 - - разработка комплекта
развитие методологии ----- --- ----- ----- нормативно-технической
проектирования изделий 212,6 87 76,6 49 документации по проектированию
микроэлектроники: изделий микроэлектроники,
разработка и освоение создание отраслевой базы
современной технологии данных с каталогами
проектирования универсальных библиотечных элементов и
микропроцессоров, процессоров сложнофункциональных блоков с
обработки сигналов, каталогизированными
микроконтроллеров и "системы результатами аттестации на
на кристалле" физическом уровне (2008 г.),
на основе каталогизированных разработка комплекта
сложнофункциональных блоков и нормативно-технической и
библиотечных элементов, в том технологической документации
числе создание отраслевой базы по взаимодействию центров
данных и технологических проектирования в сетевом режиме
файлов для автоматизированных
систем проектирования;
освоение и развитие технологии
проектирования для обеспечения
технологичности производства и
стабильного выхода годных с
целью размещения заказов на
современной базе контрактного
производства с технологическим
уровнем до 0,13 мкм
47. Разработка и освоение базовой 64 30 22 12 - - разработка комплекта
технологии производства ---- -- ---- -- технологической документации и
фотошаблонов с технологическим 42,7 20 14,7 8 организационно-
уровнем до 0,13 мкм с целью распорядительной документации
обеспечения информационной по взаимодействию центров
защиты проектов изделий проектирования и центра
микроэлектроники при изготовления фотошаблонов
использовании контрактного
производства (отечественного и
зарубежного)
48. Разработка семейств и серий 1050,9 284 336,7 430,2 - - разработка комплектов
изделий микроэлектроники: ------ --- ----- ----- документации в стандартах
универсальных микропроцессоров 617,8 151 180 286,8 единой системы конструкторской,
для встроенных применений; технологической и
универсальных микропроцессоров производственной документации,
для серверов и рабочих изготовление опытных образцов
станций; цифровых процессоров изделий и организация
обработки сигналов; серийного производства
сверхбольших интегральных
схем, программируемых
логических интегральных схем;
сверхбольших интегральных схем
быстродействующей динамической
и статической памяти;
микроконтроллеров со
встроенной энергонезависимой
электрически программируемой
памятью; схем интерфейса
дискретного ввода/вывода; схем
аналогового интерфейса;
цифроаналоговых и
аналого-цифровых
преобразователей на частотах
выше 100 МГц с разрядностью
более 8-12 бит; схем
приемопередатчиков шинных
интерфейсов; изделий
интеллектуальной силовой
микроэлектроники для
применения в аппаратуре
промышленного и бытового
назначения; встроенных
интегральных источников
питания
49. Разработка базовых серийных 1801,6 - - - 799,8 1001,8 разработка комплектов
технологий изделий ------ ----- ------ документации в стандартах
микроэлектроники: 1200,9 533,1 667,8 единой системы конструкторской,
цифроаналоговых и технологической и
аналого-цифровых производственной документации,
преобразователей на частотах изготовление опытных образцов
выше 100 МГц с разрядностью изделий и организация
более 14-16 бит 802.11, серийного производства
802.16, WiMAX и т. д.;
микроэлектронных сенсоров
различных типов, включая
сенсоры с применением
наноструктур и биосенсоров;
сенсоров на основе
магнитоэлектрических и
пьезоматериалов; встроенных
интегральных антенных
элементов для диапазонов
частот 5 ГГц, 10-12 ГГц;
систем на кристалле, в том
числе в гетероинтеграции
сенсорных и исполнительных
элементов методом беспроводной
сборки с применением
технологии матричных жестких
выводов
50. Разработка технологии и 513,4 51 252,4 210 - - разработка комплектов
освоение производства изделий ----- -- ----- --- документации в стандартах
микроэлектроники с 342,3 34 168,3 140 единой системы конструкторской,
технологическим уровнем технологической и ввод в
0,13 мкм эксплуатацию производственной
линии
51. Разработка базовой технологии 894,8 - - - 146,3 748,5 разработка комплектов
формирования многослойной ----- ----- ----- документации в стандартах
разводки (7-8 уровней) 596,2 97,3 498,9 единой системы конструкторской,
сверхбольших интегральных схем технологической и
на основе Al и Cu производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
52. Разработка технологии и 494,2 - - 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов
организация производства ----- ----- ----- ----- документации в стандартах
многокристальных 294,2 105,6 110,9 77,7 единой системы конструкторской,
микроэлектронных модулей для технологической и
мобильных применений с производственной документации,
использованием полимерных и ввод в эксплуатацию
металлополимерных микроплат и производственной линии
носителей
53. Разработка новых методов 258 85 68 105 - - разработка комплектов
технологических испытаний --- -- -- --- документации в стандартах
изделий микроэлектроники, 258 85 68 105 единой системы конструкторской,
гарантирующих их технологической и
повышенную надежность в производственной документации,
процессе долговременной (более ввод в эксплуатацию
100 000 часов) эксплуатации, специализированных участков
на основе использования
типовых оценочных схем и
тестовых кристаллов
54. Разработка современных методов 342 115 132 95 - - разработка комплектов
анализа отказов изделий --- --- --- -- документации, включая
микроэлектроники с применением 342 115 132 95 утвержденные отраслевые
ультраразрешающих методов методики, ввод в эксплуатацию
(ультразвуковая гигагерцовая модернизированных участков и
микроскопия, сканирование лабораторий анализа отказов
синхротронным излучением,
атомная и туннельная силовая
микроскопия, электронно - и
ионно-лучевое зондирование и
др.)
Всего по направлению 4 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867
------ --- ----- ------ ------ ------
3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4
Направление 5 "Электронные материалы и структуры"
55. Разработка технологии 132 54 51 27 - - внедрение новых
производства новых --- -- -- -- диэлектрических материалов на
диэлектрических материалов на 85 36 32 17 основе ромбоэдрической
основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и
модификации нитрида бора и подложек из
подложек из поликристаллического алмаза с
поликристаллического алмаза повышенной теплопроводностью и
электропроводностью для
создания нового поколения
высокоэффективных и надежных
сверхвысокочастотных приборов
56. Разработка технологии 131 - - - 77 54 создание технологии
производства --- -- -- производства
гетероэпитаксиальных структур 87 51 36 гетероэпитаксиальных структур
и структур гетеробиполярных и структур гетеробиполярных
транзисторов на основе транзисторов на основе
нитридных соединений А В для нитридных соединений А В для
3 5 3 5
мощных полупроводниковых обеспечения разработок и
приборов и изготовления
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
монолитных интегральных схем монолитных интегральных схем и
мощных транзисторов
57. Разработка базовой технологии 129 52 50 27 - - создание базовой технологии
производства метаморфных --- -- -- -- производства гетероструктур и
структур на основе GaAs и 84 34 32 18 псевдоморфных структур на
псевдоморфных структур на подложках InP для
подложках InP для приборов перспективных
сверхвысокочастотной полупроводниковых приборов и
электроники диапазона сверхвысокочастотных
60-90 ГГц монолитных интегральных схем
диапазона 60-90 ГГц
58. Разработка технологии 133 - - - 79 54 создание спинэлектронных
производства спинэлектронных --- -- -- магнитных материалов и
магнитных материалов, 88 52 36 микроволновых структур со
радиопоглощающих и спиновым управлением для
мелкодисперсных ферритовых создания перспективных
материалов для микроволновых
сверхвысокочастотных приборов сверхвысокочастотных приборов
повышенного быстродействия и
низкого энергопотребления
59. Разработка технологии 128 51 50 27 - - создание технологии массового
производства высокочистых --- -- -- -- производства высокочистых
химических материалов 85 36 31 18 химических материалов
(аммиака, арсина, фосфина, (аммиака, арсина, фосфина,
тетрахлорида кремния) в тетрахлорида кремния) для
обеспечение производства выпуска полупроводниковых
полупроводниковых подложек подложек нитрида галлия,
нитрида галлия, арсенида арсенида галлия, фосфида
галлия, фосфида индия, кремния индия, кремния и
и гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных структур
структур на их основе на их основе
60. Разработка технологии 134 - - - 79 55 создание технологии
производства --- -- -- производства
поликристаллических алмазов и 88 52 36 поликристаллических алмазов и
их пленок для теплопроводных его пленок для мощных
конструкций мощных выходных сверхвысокочастотных приборов
транзисторов и
сверхвысокочастотных приборов
61. Исследование путей и 98 41 36 21 - - создание технологии
разработка технологии -- -- -- -- изготовления новых
изготовления новых 65 27 24 14 микроволокон на основе
микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и
двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро-
металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых
и наноструктур, а также классов микроструктурных
полупроводниковых нитей с приборов, магниторезисторов,
наноразмерами при вытяжке осцилляторов, устройств
стеклянного капилляра, оптоэлектроники
заполненного жидкой фазой
полупроводника
62. Разработка технологии 106 - - 25 44 37 создание базовой пленочной
выращивания слоев --- -- -- -- технологии пьезокерамических
пьезокерамики на кремниевых 69 17 28 24 элементов, совместимой с
подложках для формирования комплементарной металло-
комплексированных устройств оксидной полупроводниковой
микросистемной техники технологией для разработки
нового класса активных
пьезокерамических устройств,
интегрированных с
микросистемами
63. Разработка методологии и 98 41 36 21 - - создание технологии травления
базовых технологий создания -- -- -- -- и изготовления кремниевых
многослойных кремниевых 64 26 24 14 трехмерных базовых элементов
структур с использованием микроэлектромеханических
"жертвенных" и "стопорных" систем с использованием
диффузионных и диэлектрических "жертвенных" и "стопорных"
слоев для производства силовых слоев для серийного
приборов и элементов производства элементов
микроэлектромеханических систем микроэлектромеханических
систем кремниевых структур с
использованием силикатных
стекол, моно-,
поликристаллического и
пористого кремния и диоксида
кремния
64. Разработка базовых технологий 105 - - - 61 44 создание технологии получения
получения алмазных --- -- -- алмазных полупроводниковых
полупроводниковых наноструктур 70 41 29 наноструктур и наноразмерных
и наноразмерных органических органических покрытий,
покрытий с широким диапазоном алмазных полупроводящих пленок
функциональных свойств для конкурентоспособных
высокотемпературных и
радиационно стойких устройств
и приборов двойного назначения
65. Исследование и разработка 191 50 57 84 - - создание технологии
технологии роста --- -- -- -- изготовления гетероструктур и
эпитаксиальных слоев карбида 128 35 38 55 эпитаксиальных структур на
кремния, структур на основе основе нитридов для создания
нитридов, а также формирования радиационно стойких
изолирующих и коммутирующих сверхвысокочастотных и силовых
слоев в приборах экстремальной приборов нового поколения
электроники
66. Разработка технологии 227 67 52 108 - - создание технологии
производства радиационно --- -- -- --- производства структур "кремний
стойких сверхбольших 130 40 35 55 на сапфире" диаметром до 150 мм
интегральных схем на с толщиной приборного слоя
ультратонких до 0,1 мкм и топологическими
гетероэпитаксиальных нормами до 0,18 мкм для
структурах кремния на производства электронной
сапфировой подложке для компонентной базы специального
производства электронной и двойного назначения
компонентной базы специального
и двойного применения
67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии
производства высокоомного --- -- -- -- производства радиационно
радиационно облученного 126 30 36 60 облученного кремния и пластин
кремния, слитков и пластин кремния до 150 мм для выпуска
кремния диаметром до 150 мм мощных транзисторов и
для производства силовых сильноточных тиристоров нового
полупроводниковых приборов поколения
68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышленное
производства кремниевых --- -- -- -- освоение получения
подложек и структур для 83 20 24 39 высококачественных подложек и
силовых полупроводниковых структур для использования в
приборов с глубокими производстве силовых
высоколегированными слоями полупроводниковых приборов, с
р- и n-типов проводимости и глубокими высоколегированными
скрытыми слоями носителей с слоями и скрытыми слоями
повышенной рекомбинацией носителей с повышенной
рекомбинацией
69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии
производства электронного --- --- -- --- производства пластин кремния
кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 диаметром до 200 мм и
диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня
кремниевых эпитаксиальных 0,25 - 0,18 мкм
структур уровня технологии
0,25 - 0,18 мкм
70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии
конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных
решений и перспективной 161 78 83 схем и полупроводниковых
базовой технологии приборов на основе
корпусирования интегральных использования многослойных
схем и полупроводниковых кремниевых структур со
приборов на основе сквозными токопроводящими
использования многослойных каналами, обеспечивающей
кремниевых структур со сокращение состава сборочных
сквозными токопроводящими операций и формирование
каналами трехмерных структур
71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии
производства гетероструктур --- -- --- производства гетероструктур
SiGe биполярной 143 53 90 SiGe для выпуска
комплементарной металл-окисел быстродействующих сверхбольших
полупроводниковой технологии интегральных схем с
для разработки приборов с топологическими нормами
топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм
0,25 - 0,18 мкм
72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии
выращивания и обработки, в том -- -- -- -- выращивания и обработки
числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 пьезоэлектрических материалов
пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и
для акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения
акустооптики производства широкой
номенклатуры акустоэлектронных
устройств нового поколения
73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных
соединений А В и тройных 58 22 36 материалов и структур для
3 5 перспективных приборов
структур для: лазерной и оптоэлектронной
производства сверхмощных техники, в том числе:
лазерных диодов; производства сверхмощных
высокоэффективных светодиодов лазерных диодов;
белого, зеленого, синего и высокоэффективных светодиодов
ультрафиолетового диапазонов; белого, зеленого, синего и
фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов;
инфракрасного диапазона фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона
74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии
технологии получения -- -- -- -- производства принципиально
гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 новых материалов
оптическими резонаторами на полупроводниковой электроники
основе квантовых ям и на основе сложных композиций
квантовых точек для для перспективных приборов
производства вертикально лазерной и оптоэлектронной
излучающих лазеров для техники
устройств передачи информации
и матриц для
оптоэлектронных переключателей
нового поколения
75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии
производства современных -- -- -- производства компонентов для
компонентов для 57 22 35 специализированных
специализированных электронно-лучевых;
фотоэлектронных приборов, в электроннооптических и
том числе: отклоняющих систем;
катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из
электронно-оптических и электровакуумного стекла
отклоняющих систем; различных марок
стеклооболочек и деталей из
электровакуумного стекла
различных марок
76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии
производства особо тонких -- -- -- -- производства особо тонких
гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 гетерированных нанопримесями
полупроводниковых структур для полупроводниковых структур для
высокоэффективных фотокатодов, изготовления высокоэффективных
электронно-оптических фотокатодов электронно-
преобразователей и оптических преобразователей и
фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,
приемников инфракрасного приемников инфракрасного
диапазона, солнечных элементов диапазона, солнечных элементов
и др., фотоэлектронных и других приложений
приборов с высокими значениями
коэффициента полезного
действия
77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии
производства монокристаллов -- -- -- монокристаллов AlN для
AlN для изготовления 58 22 36 изготовления изолирующих и
изолирующих и проводящих проводящих подложек для
подложек для гетероструктур создания полупроводниковых
высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных приборов
нового поколения
78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии
производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических
металлов (корунда и т. п.) порошков и нитридов металлов
для производства для промышленного освоения
вакуумно-плотной спецстойких приборов нового
нанокерамики, в том числе с поколения, в том числе
заданными оптическими микрочипов,
свойствами сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а
также особо прочной
электронной компонентной базы
оптоэлектроники и фотоники
79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии
производства полимерных и -- -- -- производства полимерных и
гибридных органо- 58 21 37 композиционных материалов с
неорганических использованием поверхностной и
наноструктурированных защитных объемной модификации полимеров
материалов для электронных наноструктурированными
компонентов нового поколения наполнителями для создания
прецизионных и изделий с высокой
сверхвысокочастотных механической, термической и
резисторов, терминаторов, радиационной стойкостью при
аттенюаторов и резисторно- работе в условиях длительной
индукционно-емкостных матриц, эксплуатации и воздействии
стойких к воздействию комплекса специальных
комплекса внешних и внешних факторов
специальных факторов
Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717
---- --- --- --- --- ---
2238 442 408 468 442 478
Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"
80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда
прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной
температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и
высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц долговременной стабильностью
резонаторов на поверхностно для создания контрольной и
акустических волнах до 1,5 ГГц связной аппаратуры двойного
с полосой до 70 процентов и назначения
длительностью сжатого сигнала
до 2-5 нс
81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии и
нелицензируемых международных --- -- -- -- конструкции акустоэлектронных
частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 пассивных и активных меток-
2,45 ГТц ряда радиочастотных транспондеров для применения в
пассивных и активных логистических приложениях на
акустоэлектронных меток- транспорте, в торговле и
транспондеров, в том числе промышленности
работающих в реальной
помеховой обстановке, для
систем радиочастотной
идентификации и систем
управления доступом
82. Разработка базовой конструкции 56 24 17 15 - - создание технологии
и промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базовых
производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлектрических
фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных
поверхностного монтажа корпусах для поверхностного
монтажа при изготовлении
связной аппаратуры массового
применения
83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой технологии
проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных приборов для
технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи,
конструирования измерительной и навигационной
акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения -
нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых,
промежуточной частоты с тропосферных и радиорелейных
высокими характеристиками для линий связи, цифрового
современных систем связи, интерактивного телевидения,
включая высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры,
высокочастотные устройства радиолокационных станций,
частотной селекции на спутниковых навигационных
поверхностных и систем
приповерхностных волнах и
волнах Гуляева-Блюштейна с
предельно низким уровнем
вносимого затухания для
частотного диапазона до 5 ГГц
84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии
проектирования и базовой -- -- -- производства
технологии производства 64 22 42 высокоинтегрированной
функциональных законченных электронной компонентной базы
устройств стабилизации, типа "система в корпусе" для
селекции частоты и обработки вновь разрабатываемых и
сигналов типа "система в модернизируемых сложных
корпусе" радиоэлектронных систем
и комплексов
85. Разработка базовой конструкции 69 - - - 48 21 создание базовой технологии
и технологии изготовления -- -- -- (2010 г.) и базовой
высокочастотных резонаторов и 46 32 14 конструкции микроминиатюрных
фильтров на объемных высокодобротных фильтров для
акустических волнах для малогабаритной и носимой
телекоммуникационных и аппаратуры навигации и связи
навигационных систем
86. Разработка технологии и 80 50 30 - - - создание нового поколения
базовой конструкции -- -- -- оптоэлектронных приборов для
фоточувствительных приборов с 53 33 20 обеспечения задач
матричными приемниками предотвращения аварий и
высокого разрешения для контроля
видимого и ближнего
инфракрасного диапазона для
аппаратуры контроля
изображений
87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой технологии
унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения приборов
оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых полей для
микроканальных пластин, задач теплоэнергетики,
пироэлектрических матриц и медицины, поисковой и
камер на их основе с контрольной аппаратуры на
чувствительностью до 0,1 К и транспорте, продуктопроводах и
широкого инфракрасного в охранных системах
диапазона
88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой технологии
создания интегрированных -- -- -- -- (2008 г.) и конструкции новых
гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 типов приборов, сочетающих
высокочувствительных и фотоэлектронные и
высокоразрешающих приборов и твердотельные технологии, с
усилителей для задач целью получения экстремально
космического мониторинга и достижимых характеристик для
специальных систем наблюдения, задач контроля и наблюдения в
научной и метрологической системах двойного назначения
аппаратуры
89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой технологии
мощных полупроводниковых --- -- -- -- (2008 г.) и конструкций
лазерных диодов (непрерывного 106 42 30 34 принципиально новых мощных
и импульсного излучения) диодных лазеров,
специализированных лазерных предназначенных для широкого
полупроводниковых диодов, применения в изделиях двойного
фотодиодов и лазерных назначения, медицины,
волоконно-оптических модулей полиграфического оборудования
для создания аппаратуры и и системах открытой оптической
систем нового поколения связи
90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта
технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных
навигационных приборов, 65 10 40 15 компонентов для лазерных
включая интегральный гироскопов широкого применения
оптический модуль лазерного (2010 г.),
гироскопа на базе сверх- создание комплекса технологий
малогабаритных кольцевых обработки и формирования
полупроводниковых лазеров структурных и приборных
инфракрасного диапазона, элементов, оборудования
оптоэлектронные компоненты для контроля и
широкого класса аттестации, обеспечивающих
инерциальных лазерных систем новый уровень технико-
управления движением экономических показателей
гражданских и специальных производства
средств транспорта
91. Разработка базовых конструкций 74 27 22 25 - - создание базовой технологии
и технологий создания -- -- -- -- твердотельных чип-лазеров
квантово-электронных 50 18 15 17 для лазерных дальномеров,
приемопередающих модулей твердотельных лазеров с
для малогабаритных пикосекундными длительностями
лазерных дальномеров нового импульсов для установок по
поколения на основе прецизионной обработке
твердотельных чип-лазеров с композитных материалов, для
полупроводниковой накачкой, создания элементов и изделий
технологических лазерных микромашиностроения и в
установок широкого производстве электронной
спектрального диапазона компонентной базы нового
поколения, мощных лазеров для
применения в машиностроении,
авиастроении,
автомобилестроении,
судостроении, в составе
промышленных технологических
установок обработки и сборки,
систем экологического
мониторинга окружающей среды,
контроля выбросов патогенных
веществ, контроля утечек в
продуктопроводах
92. Разработка базовых технологий 127 60 55 12 - - создание технологии получения
формирования конструктивных --- -- -- -- широкоапертурных элементов на
узлов и блоков для лазеров 85 40 37 8 основе алюмоиттриевой
нового поколения и технологии легированной керамики
создания полного комплекта композитных составов для
электронной компонентной лазеров с диодной накачкой
базы для производства (2008 г.), высокоэффективных
лазерного устройства преобразователей частоты
определения наличия опасных, лазерного излучения,
взрывчатых, отравляющих и организация промышленного
наркотических веществ в выпуска оптических изделий и
контролируемом пространстве лазерных элементов широкой
номенклатуры
93. Разработка базовых технологий, 82 30 25 27 - - разработка расширенной серии
базовой конструкции и -- -- -- -- низковольтных
организация производства 55 20 17 18 катодолюминесцентных и других
интегрированных дисплеев с широким диапазоном
катодолюминесцентных и других эргономических характеристик и
дисплеев двойного назначения свойств по условиям применения
со встроенным микроэлектронным для информационных и
управлением контрольных систем
94. Разработка технологии и 72 27 24 21 - - создание ряда принципиально
базовых конструкций -- -- -- -- новых светоизлучающих приборов
высокояркостных светодиодов и 48 18 16 14 с минимальными геометрическими
индикаторов основных цветов размерами, высокой надежностью
свечения для систем подсветки и устойчивостью к механическим
в приборах нового поколения и климатическим воздействиям,
обеспечивающих
энергосбережение за счет
замены ламп накаливания в
системах подсветки аппаратуры
и освещения
95. Разработка базовой технологии 90 - - 15 57 18 создание базовой технологии
и конструкции оптоэлектронных -- -- -- -- производства нового поколения
приборов (оптроны, оптореле, 60 10 38 12 оптоэлектронной
светодиоды) в миниатюрных высокоэффективной и надежной
корпусах для поверхностного электронной компонентной базы
монтажа для промышленного оборудования
и систем связи
96. Разработка схемотехнических 81 30 24 27 - - создание технологии новых
решений и унифицированных -- -- -- -- классов носимой и стационарной
базовых конструкций и 54 20 16 18 аппаратуры, экранов
технологий формирования отображения информации
твердотельных видеомодулей на коллективного пользования
полупроводниковых повышенных емкости и формата
светоизлучающих структурах для
носимой аппаратуры, экранов
индивидуального и
коллективного пользования с
бесшовной стыковкой
97. Разработка базовой технологии 93 33 30 30 - - создание технологии массового
изготовления высокоэффективных -- -- -- -- производства солнечных
солнечных элементов на базе 62 22 20 20 элементов для индивидуального
использования кремния, и коллективного использования
полученного по "бесхлоридной" в труднодоступных районах,
технологии и технологии развития солнечной энергетики
"литого" кремния в жилищно-коммунальном
прямоугольного сечения хозяйстве в обеспечение задач
энергосбережения
98. Разработка базовой технологии 59 21 18 20 - - создание технологии массового
и освоение производства -- -- -- -- производства нового класса
оптоэлектронных реле с 39 14 12 13 оптоэлектронных приборов для
повышенными техническими широкого применения в
характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре
поверхностного монтажа
99. Комплексное исследование и 162 - - 33 99 30 создание базовой технологии
разработка технологий --- -- -- -- массового производства экранов
получения новых классов 108 22 66 20 с предельно низкой удельной
органических (полимерных) стоимостью для информационных
люминофоров, пленочных и обучающих систем
транзисторов на основе
"прозрачных" материалов,
полимерной пленочной основы и
технологий изготовления
крупноформатных гибких и особо
плоских экранов, в том числе
на базе высокоразрешающих
процессов струйной печати и
непрерывного процесса
изготовления типа "с катушки
на катушку"
100. Разработка базовых конструкций 183 - 45 33 105 - создание технологии и
и технологии активных матриц и --- -- -- --- конструкции активно-матричных
драйверов плоских экранов на 122 30 22 70 органических
основе аморфных, электролюминесцентных,
поликристаллических и жидкокристаллических и
кристаллических кремниевых катодолюминесцентных дисплеев,
интегральных структур на стойких к внешним специальным
различных подложках и создание и климатическим воздействиям
на их основе перспективных
видеомодулей, включая
органические
электролюминесцентные,
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные,
создание базовой технологии
серийного производства
монолитных модулей двойного
назначения
101. Разработка базовой конструкции 162 - - 33 99 30 создание технологии и базовых
и технологии крупноформатных --- -- -- -- конструкций полноцветных
полноцветных газоразрядных 108 22 66 20 газоразрядных видеомодулей
видеомодулей специального и двойного
назначения для наборных
экранов коллективного
пользования
102. Разработка технологии сверх- 72 - 24 18 30 - разработка расширенного ряда
прецизионных резисторов и -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов,
гибридных интегральных схем 48 16 12 20 гибридных интегральных схем
цифроаналоговых и аналого- цифроаналоговых и аналого-
цифровых преобразователей на цифровых преобразователей с
их основе в параметрами, превышающими
металлокерамических корпусах уровень существующих
для аппаратуры двойного отечественных и зарубежных
назначения изделий для аппаратуры связи,
диагностического контроля,
медицинского оборудования,
авиастроения, станкостроения,
измерительной техники
103. Разработка базовой технологии 105 - - - 45 60 разработка расширенного ряда
особо стабильных и особо --- -- -- сверхпрецизионных резисторов с
точных резисторов широкого 70 30 40 повышенной удельной мощностью
диапазона сопротивления, рассеяния, высоковольтных
прецизионных датчиков тока для высокоомных резисторов для
измерительной и контрольной измерительной техники,
аппаратуры и освоение их приборов ночного видения и
производства аппаратуры контроля
104. Разработка технологии и 192 - - 24 78 90 создание базовой технологии и
базовых конструкций резисторов --- -- -- -- конструкции резисторов с
и резистивных структур нового 128 16 52 60 повышенными значениями
поколения для поверхностного стабильности, удельной
монтажа, в том числе: мощности в чип-исполнении на
резисторов с повышенными основе многослойных монолитных
характеристиками, структур
ультранизкоомных резисторов,
малогабаритных подстроечных
резисторов, интегральных
сборок серии нелинейных
полупроводниковых
резисторов в многослойном
исполнении чип-конструкции
105. Разработка технологий 90 42 36 12 - - создание базовой технологии
формирования интегрированных -- -- -- -- производства датчиков на
резистивных структур с 60 28 24 8 резистивной основе с высокими
повышенными технико- техническими характеристиками
эксплуатационными и надежностью
характеристиками на основе
микроструктурированных
материалов и методов групповой
сборки
106. Создание групповой технологии 105 45 30 30 - - создание технологии
автоматизированного --- -- -- -- автоматизированного
производства толстопленочных 70 30 20 20 производства чип- и микрочип-
чип- и микрочип-резисторов резисторов (в габаритах 0402,
0201 и менее) для применения в
массовой аппаратуре
107. Разработка новых базовых 129 - 24 30 75 - создание базовой технологии
технологий и конструктивных --- -- -- -- производства конденсаторов с
решений изготовления 86 16 20 50 качественно улучшенными
танталовых оксидно- характеристикам с электродами
полупроводниковых и оксидно- из неблагородных металлов при
электролитических сохранении высокого уровня
конденсаторов и чип- надежности
конденсаторов и организация
производства конденсаторов с
повышенным удельным зарядом,
сверхнизким значением
внутреннего сопротивления и
улучшенными потребительскими
характеристиками
108. Разработка комплексной базовой 65 24 20 21 - - создание базовых технологий
технологии и организация -- -- -- -- конденсаторов и ионисторов на
производства конденсаторов с 43 16 13 14 основе полимерных материалов с
органическим диэлектриком и повышенным удельным зарядом и
повышенными удельными энергоемких накопительных
характеристиками и ионисторов конденсаторов с повышенной
с повышенным током разряда удельной энергией
109. Разработка технологии, базовых 115 - - 25 60 30 создание технологии и базовых
конструкций высоковольтных --- -- -- -- конструкций нового поколения
(быстродействующих, мощных) 77 17 40 20 выключателей для
вакуумных выключателей нового радиоэлектронной аппаратуры с
поколения с предельными повышенными тактико-
характеристиками для техническими характеристиками
радиотехнической аппаратуры с и надежностью
высокими сроками службы
110. Разработка технологий создания 74 25 24 25 - - создание технологии
газонаполненных высоковольтных -- -- -- -- изготовления коммутирующих
высокочастотных коммутирующих 50 17 16 17 устройств для токовой
устройств для токовой коммутации цепей в широком
коммутации цепей с повышенными диапазоне напряжений и токов
техническими характеристиками для радиоэлектронных и
электротехнических систем
111. Разработка полного комплекта 57 30 27 - - - создание технологии выпуска
электронной компонентной базы -- -- -- устройств грозозащиты в
для создания модульного 38 20 18 индивидуальном, промышленном и
устройства грозозащиты зданий гражданском строительстве,
и сооружений с обеспечением строительстве пожароопасных
требований по международным объектов
стандартам
112. Разработка базовых конструкций 151 54 46 51 - - создание базовой технологии
и технологий изготовления --- -- -- -- формирования
малогабаритных переключателей 101 36 31 34 высококачественных
с повышенными сроками службы гальванических покрытий,
для печатного монтажа технологии прецизионного
формирования изделий для
автоматизированных систем
изготовления коммутационных
устройств широкого назначения
Всего по направлению 6 3379 753 684 722 867 353
---- --- --- --- --- ---
2252 502 456 481 578 235
Направление 7 "Обеспечивающие работы"
113. Разработка организационных 62 12 9 15 11 15 разработка комплекта
принципов и научно-технической -- -- - -- -- -- методической и научно-
базы обеспечения 41 8 6 10 7 10 технической документации в
проектирования и производства обеспечение функционирования
электронной компонентной базы систем проектирования и
в соответствии с требованиями производства электронной
Всемирной торговой организации компонентной базы в
соответствии с требованиями
Всемирной торговой организации
114. Создание и обеспечение 124 24 20 30 22 28 разработка новых и
функционирования системы --- -- -- -- -- -- совершенствование существующих
испытаний электронной 84 16 13 20 15 19 методов испытаний электронной
компонентной базы, компонентной базы, разработка
обеспечивающей поставку методов отбраковочных
изделий с гарантированной испытаний перспективной
надежностью для комплектации электронной компонентной базы,
систем специального и двойного обеспечение поставки изделий с
назначения гарантированной надежностью
для комплектации систем
специального назначения
(атомная энергетика,
космические программы,
транспорт, системы двойного
назначения)
115. Разработка и совершенствование 71,5 13,5 10 18 13 17 разработка и систематизация
методов, обеспечивающих ---- ---- -- -- -- -- методов расчетно-
качество и надежность 48 9 7 12 9 11 экспериментальной оценки
сложнофункциональной показателей надежности
электронной компонентной базы электронной компонентной базы,
на этапах опытно- разрешенной для применения в
конструкторских работ, аппаратуре, функционирующей в
освоения и производства специальных условиях и с
длительными сроками активного
существования
116. Создание и внедрение нового 63 12 10 15,5 10,5 15 разработка системы технологий
поколения основополагающих -- -- -- ---- ---- -- обеспечения жизненного цикла
документов по обеспечению 42 8 7 10 7 10 изделия при создании широкой
жизненного цикла изделия на номенклатуры электронной
этапах проектирования, компонентной базы
производства, применения и
утилизации электронной
компонентной базы
117. Научное сопровождение 125,5 25,5 19 30 23 28 оптимизация состава
подпрограммы, в том числе: ----- ---- -- -- -- -- выполняемых комплексов научно-
определение технологического и 84 17 13 20 15 19 исследовательских и опытно-
технического уровней развития конструкторских работ по
отечественной и импортной развитию электронной
электронной компонентной базы компонентной базы в рамках
на основе их рубежных технико- подпрограммы и определение
экономических показателей, перспективных направлений
разработка "маршрутных карт" создания новых классов
развития групп электронной электронной компонентной базы
компонентной базы с установлением системы
технико-экономических и
рубежных технологических
показателей,
разработка "маршрутных карт"
развития по направлениям
электронной компонентной базы
118. Создание интегрированной 71 15 11 17,5 12,5 15 проведение технико-
информационно-аналитической -- -- -- ---- ---- -- экономической оптимизации
автоматизированной системы по 48 10 7 12 9 10 выполнения комплексных годовых
развитию электронной мероприятий подпрограммы,
компонентной базы, создание системы действенного
охватывающей деятельность финансового и технического
заказчика-координатора, контроля выполнения
заказчика и предприятий, подпрограммы в целом
участвующих в выполнении
комплекса программных
мероприятий, с целью
оптимизации состава
участников, финансовых
средств, перечисляемой
государству прибыли и
достижения заданных технико-
экономических показателей
разрабатываемой электронной
компонентной базы
119. Определение перспектив 64,5 13,5 11 16 12 12 формирование системно-
развития российской ---- ---- -- -- -- -- ориентированных материалов по
электронной компонентной базы 42 9 7 10 8 8 экономике, технологиям
на основе анализа динамики проектирования и производству
сегментов мирового и электронной компонентной базы,
отечественного рынков обобщение и анализ мирового
радиоэлектронной продукции и опыта для выработки технически
действующей производственно- и экономически обоснованных
технологической базы решений развития электронной
компонентной базы
120. Системный анализ результатов 60 12 11 15 12 10 создание отраслевой системы
выполнения комплекса -- -- -- -- -- -- учета и планирования развития
мероприятий подпрограммы на 41 8 8 11 8 7 разработки, производства и
основе создания отраслевой применения электронной
системы планирования и учета компонентной базы
развития разработки,
производства и применения
электронной компонентной базы
по основным технико-
экономическим показателям
Всего по направлению 7 641,5 127,5 101 157 116 140
----- ----- --- --- --- ---
430 85 68 105 78 94
ИТОГО по разделу I 23820 3900 4290 4725 5190 5715
----- ---- ---- ---- ---- ----
15880 2600 2860 3150 3460 3810
II. Капитальные вложения
Федеральное агентство по промышленности
Техническое перевооружение производств сверхвысокочастотной техники
121. Реконструкция и техническое 2050 690 300 - 430 630 создание производственно-
перевооружение федерального ------ --- --- --- --- технологического комплекса по
государственного унитарного 1025** 345 150 215 315 выпуску твердотельных
предприятия "Научно- сверхвысокочастотных
производственное предприятие субмодулей мощностью
"Исток", г. Фрязино 100 тыс. штук в год***
122. Реконструкция и техническое 1730 620 220 - 370 520 создание производственной
перевооружение федерального ----- --- --- --- --- технологической линии по
государственного унитарного 865** 310 110 185 260 выпуску сверхвысокочастотных
предприятия "Научно- приборов и модулей на
производственное предприятие широкозонных
"Пульсар", г. Москва полупроводниках***
123. Реконструкция и техническое 280 - - - 100 180 расширение мощностей по
перевооружение федерального ----- --- --- производству активных
государственного унитарного 140** 50 90 элементов и
предприятия "Научно- сверхвысокочастотных
производственное предприятие монолитных интегральных схем с
"Салют", г. Нижний Новгород повышенной радиационной
стойкостью с 15 до 35 тыс.
штук в год***
124. Реконструкция и техническое 280 - - - 100 180 ввод новых мощностей по
перевооружение федерального ----- --- --- производству новейших образцов
государственного унитарного 140** 50 90 ламп бегущей волны и других
предприятия "Научно- сверхвысокочастотных приборов,
производственное предприятие в том числе в миллиметровом
"Алмаз", г. Саратов диапазоне***
125. Реконструкция и техническое 440 - - - 160 280 реконструкция производственной
перевооружение федерального ----- --- --- линии по выпуску новых
государственного унитарного 220** 80 140 сверхмощных
предприятия "Научно- сверхвысокочастотных приборов
производственное предприятие с повышенным уровнем
"Торий", г. Москва технических параметров,
надежности и долговечности***
Техническое перевооружение производств радиационно стойкой
электронной компонентной базы
126. Техническое перевооружение 120 - - - 60 60 реконструкция производственной
федерального государственного ---- --- --- линии для выпуска новых
унитарного предприятия 60** 30 30 изделий радиационно стойкой
"Новосибирский завод электронной компонентной базы,
полупроводниковых приборов с необходимой для предприятий
ОКБ", г. Новосибирск Росатома и Роскосмоса***
127. Техническое перевооружение 180 - - - 100 80 создание производственных
федерального государственного ---- --- --- мощностей по выпуску
унитарного предприятия 90** 50 40 радиационно стойкой
"Научно-производственное электронной компонентной базы
предприятие "Восток", в количестве 80-100 тыс. штук
г. Новосибирск в год для комплектования
важнейших специальных
систем***
128. Техническое перевооружение 1520 - 900 620 - - техническое перевооружение
открытого акционерного ----- --- --- завода для выпуска
общества "НИИ молекулярной 760** 450 310 сверхбольших интегральных схем
электроники и завод "Микрон", с топологическими нормами
г. Москва 0,18 мкм (2008 год),
0,13 мкм (2009 год)***
Техническое перевооружение производств изделий микросистемной
и электронной техники
129. Техническое перевооружение 240 - - 120 120 - организация участка
федерального государственного ----- --- --- прецизионной оптической и
унитарного предприятия 120** 60 60 механической обработки деталей
"Научно-исследовательский для лазерных излучателей,
институт "Полюс" твердотельных лазеров и
им. М.Ф.Стельмаха", бескарданных лазерных
г. Москва гироскопов нового поколения***
130. Техническое перевооружение 620 - - 580 40 - создание новых
открытого акционерного ----- --- -- производственных мощностей для
общества "Светлана", 310** 290 20 выпуска микроэлектронных
г. Санкт-Петербург датчиков физических величин и
электронных датчиков для
экспресс-контроля параметров
крови и жизнедеятельности
человека***
131. Техническое перевооружение 120 - - 120 - - создание производственной
открытого акционерного ---- --- линии для выпуска тонко- и
общества "Резистор - НН", 60** 60 толстопленочных микрочипов
г. Нижний Новгород прецизионных и
сверхвысокочастотных
резисторов, интегральных
сборок***
132. Техническое перевооружение 120 - - 120 - - техническое перевооружение
федерального государственного ---- --- действующего производства
унитарного предприятия 60** 60 электронной компонентной базы
"Научно-исследовательский и микросистемотехники для
институт электронно- создания новых рядов
механических приборов", конкурентоспособных изделий
г. Пенза электронной техники***
133. Техническое перевооружение 120 - - - 120 - техническое перевооружение
федерального государственного ---- --- действующих производственных
унитарного предприятия 60** 60 мощностей по выпуску
"Научно-исследовательский сверхбольших интегральных схем
институт электронной и мощных сверхвысокочастотных
техники", г. Воронеж транзисторов с объемом выпуска
сверхбольших интегральных схем
50 тыс. штук в год, мощных
сверхвысокочастотных
транзисторов 10 тыс. штук в
год***
134. Техническое перевооружение 100 - - - 100 - техническое перевооружение
федерального государственного ---- --- производства новых электронных
унитарного предприятия 50** 50 материалов, используемых в
"Научно-исследовательский микросистемотехнике,
институт электронных микроэлектронике и квантовой
материалов", г. Владикавказ электронике***
135. Техническое перевооружение 200 - - - 60 140 создание новых
федерального государственного ----- -- --- производственных мощностей по
унитарного предприятия 100** 30 70 выпуску оптоволоконных
"Производственное объединение соединителей изделий
"Октябрь", микромеханики***
г. Каменск-Уральский
136. Техническое перевооружение 200 - - 100 100 - создание спецтехнологической
открытого акционерного ----- --- --- линии, включающей чистые
общества "Авангард", 100** 50 50 производственные помещения и
г. Санкт-Петербург технологическое оборудование
для выпуска современных
микроэлектромеханических и
микроакустоэлектро-
механических систем мирового
класса***
137. Техническое перевооружение 160 - 120 40 - - организация серийного
федерального государственного ---- --- -- производства параметрических
унитарного предприятия 80** 60 20 рядов мембранных датчиков
"Научно-исследовательский (10 млн. штук в год к
институт физических проблем 2008 году) и чувствительных
им. Ф.В.Лукина", г. Москва элементов для сканирующей
зондовой микроскопии
(0,3 млн. шт. в год)***
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение
оборудования, не входящего в смету стройки) для создания
базовых центров системного проектирования
138. Реконструкция и техническое 160 - - - 60 100 создание межотраслевого
перевооружение (приобретение ---- -- --- базового центра системного
оборудования, не входящего в 80** 30 50 проектирования площадью
смету стройки) федерального 800 кв. м***
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
микроэлектронной аппаратуры
"Прогресс", г. Москва, для
создания межотраслевого центра
проектирования
139. Реконструкция и техническое 120 - 120 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 60 площадью 500 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества "Научно-
производственное объединение
"Алмаз" имени академика
А.А.Расплетина" , г. Москва,
для создания базового центра
проектирования
140. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 60 площадью 500 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Московский научно-
исследовательский институт
"Агат", г. Жуковский, для
создания базового центра
проектирования
141. Реконструкция и техническое 80 - - 30 - 50 создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 40** 15 25 площадью 400 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Всероссийский научно-
исследовательский институт
радиотехники", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
142. Реконструкция и техническое 120 120 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 60 площадью 500 кв. м***
смету стройки)
государственного унитарного
предприятия "Научно-
производственный центр
"Электронные вычислительно-
информационные системы",
г. Москва, для создания
базового центра проектирования
143. Реконструкция и техническое 460 - - 60 140 260 создание базового центра
перевооружение (приобретение ----- -- --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 230** 30 70 130 площадью 1000 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества "НИИ
молекулярной электроники и
завод "Микрон", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
144. Реконструкция и техническое 140 - - - 140 - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 70** 70 площадью 600 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества "Научно-
исследовательский центр
электронной вычислительной
техники", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
145. Реконструкция и техническое 140 - - - - 140 создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 70** 70 площадью 600 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
производственное предприятие
"Восток", г. Новосибирск, для
создания базового центра
проектирования
146. Реконструкция и техническое 200 - - - 80 120 создание базового центра
перевооружение (приобретение ----- -- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 100** 40 60 площадью 700 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества "Концерн
"Созвездие",
г. Воронеж, для создания
базового центра проектирования
147. Реконструкция и техническое 200 - - - 80 120 создание базового центра
перевооружение (приобретение ----- -- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 100** 40 60 площадью 700 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества "Концерн
радиостроения "Вега",
г. Москва, для создания
базового центра проектирования
148. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 60 площадью 500 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Ростовский-
на-Дону научно-
исследовательский институт
радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону, для
создания базового центра
проектирования
149. Реконструкция и техническое 120 90 - - - 30 создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 45 15 площадью 500 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Омский научно-
исследовательский институт
приборостроения", г. Омск,
для создания базового центра
проектирования
150. Реконструкция и техническое 120 - - - - 120 создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 60 площадью 500 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Российский институт
радионавигации и времени",
г. Санкт-Петербург,
для создания базового центра
проектирования
151. Реконструкция и техническое 380 - 130 250 - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ----- --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 190** 65 125 площадью 1000 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Светлана", г. Санкт-
Петербург, для создания
базового центра проектирования
152. Реконструкция и техническое 360 - - - 160 200 создание базового центра
перевооружение (приобретение ----- --- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 180** 80 100 площадью 800 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества
"Центральный научно-
исследовательский институт
"Циклон", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
153. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 60 площадью 500 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
"Аргон", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
154. Реконструкция и техническое 120 90 - - - 30 создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 45 15 площадью 500 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "НПО "Орион",
г. Москва, для создания
базового центра проектирования
155. Реконструкция и техническое 160 160 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80** 80 площадью 600 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
телевидения",
г. Санкт-Петербург, для
создания базового центра
проектирования
156. Реконструкция и техническое 120 - - - 120 - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 60 площадью 500 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Новосибирский
завод полупроводниковых
приборов с ОКБ",
г. Новосибирск, для создания
базового центра проектирования
157. Реконструкция и техническое 220 200 20 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ----- --- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 110** 100 10 площадью 900 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
физических проблем
им. Ф.В.Лукина", г. Москва,
для создания базового центра
проектирования
158. Реконструкция и техническое 140 - - - - 140 создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 70** 70 площадью 600 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общества "Концерн
"Океанприбор",
г. Санкт-Петербург, для
создания базового центра
проектирования
159. Реконструкция и техническое 160 160 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80** 80 площадью 650 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
производственное предприятие
"Полет", г. Нижний Новгород,
для создания базового центра
проектирования
160. Реконструкция и техническое 160 - 160 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80** 80 площадью 650 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Нижегородский
научно-исследовательский
приборостроительный институт
"Кварц", г. Нижний Новгород,
для создания базового центра
проектирования
161. Реконструкция и техническое 160 160 - - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80** 80 площадью 650 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский институт
автоматической аппаратуры им.
академика В.С.Семенихина",
г. Москва, для создания
базового центра проектирования
162. Реконструкция и техническое 160 - 160 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- --- системного проектирования
оборудования, не входящего в 80** 80 площадью 650 кв. м***
смету стройки) открытого
акционерного общество
"Корпорация "Тактическое
ракетное вооружение",
г. Королев, Московская
область, для создания базового
центра проектирования
163. Реконструкция и техническое 120 60 60 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 30 30 площадью 500 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Государственный
научно-исследовательский
институт авиационных систем",
г. Москва, для создания
базового центра проектирования
Строительство и приобретение технологического и контрольного
оборудования для создания межотраслевого центра
проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
164. Строительство межотраслевого 1200 - 400 800 - - создание межотраслевого центра
центра проектирования, ----- --- --- проектирования, каталогизации
каталогизации открытого 600** 200 400 и изготовления фотошаблонов
акционерного общества площадью 5000 кв. м***
"Российская электроника",
г. Москва, и приобретение
технологического и
контрольного оборудования
Итого по Федеральному 14160 2350 2590 2840 3000 3380
агентству по промышленности ------ ---- ---- ---- ---- ----
7080** 1175 1295 1420 1500 1690
Федеральное агентство по образованию
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение
оборудования, не входящего в смету стройки)
для создания базовых центров системного проектирования
165. Реконструкция и техническое 120 - - 60 60 - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 30 30 площадью 500 кв. м***
смету стройки)
государственного
образовательного учреждения
"Московский государственный
институт электронной техники",
г. Москва, для создания
базового центра проектирования
166. Реконструкция и техническое 100 50 50 - - - создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 50** 25 25 площадью 500 кв. м***
смету стройки)
государственного
образовательного учреждения
высшего профессионального
образования "Московский
государственный институт
радиотехники, электроники и
автоматики", г. Москва, для
создания базового центра
проектирования
Итого по Федеральному 220 50 50 60 60 -
агентству по образованию ----- -- -- --- --
110** 25 25 30 30
Федеральное агентство по атомной энергии
Техническое перевооружение производств радиационно стойкой ЭКБ
167. Техническое перевооружение 140 - - - 80 60 создание технологического
федерального государственного ---- -- -- комплекса для производства
унитарного предприятия "ФНПЦ 70** 40 30 сверхвысокочастотных
Научно-исследовательский монолитных интегральных схем
институт измерительных систем на широкозонных
им. Ю.Е.Седакова", полупроводниковых
г. Нижний Новгород материалах***
Итого Федеральному агентству 140 - - - 80 60
по атомной энергии ---- -- --
70** 40 30
Федеральное космическое агентство
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение
оборудования, не входящего в смету стройки)
для создания базовых центров системного проектирования
168. Реконструкция и техническое 120 - - - 60 60 создание базового центра
перевооружение (приобретение ---- -- -- системного проектирования
оборудования, не входящего в 60** 30 30 площадью 500 кв. м***
смету стройки) федерального
государственного унитарного
предприятия "Российский
научно-исследовательский
институт космического
приборостроения", г. Москва,
для создания базового центра
проектирования
Итого по Федеральному 120 - - - 60 60
космическому агентству ---- -- --
60** 30 30
__________________
* В числителе - указывается общая стоимость работ, в знаменателе - объем финансирования из федерального
бюджета.
** Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной
документации.
*** Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.
Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их
финансирования.
_____________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 3
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы
Объемы финансирования приоритетных направлений развития электронной компонентной базы в 2007-2011 годах за счет средств федерального бюджета
---------------------------------------T-------------T---------------------------
Приоритетные направления ¦ Всего ¦ В том числе
+------T------+-------------T-------------
¦ млн. ¦ про- ¦научно-иссле-¦капитальные
¦рублей¦центов¦довательские ¦ вложения
¦ ¦ ¦и опытно- ¦
¦ ¦ ¦конструктор- ¦
¦ ¦ ¦ские работы ¦
¦ ¦ +------T------+------T------
¦ ¦ ¦ млн. ¦ про- ¦ млн. ¦про-
¦ ¦ ¦рублей¦центов¦рублей¦центов
---------------------------------------+------+------+------+------+------+------
1. Сверхвысокочастотная электроника - 6256 27 3866 24,3 2390 32,6
всего
в том числе:
сверхвысокочастотная 5739 3349 2390
электроника
сверхвысокочастотные 517 517 -
материалы
2. Радиационно стойкая электронная 4150 17,9 3170 20 980 13,4
компонентная база - всего
в том числе:
радиационно стойкая 2839 1859 980
электронная компонентная
база
радиационно стойкие 467 467 -
материалы
радиационно стойкая 844 844 -
микроэлектроника
3. Микросистемная техника - всего 2703 11,6 2113 13,3 590
в том числе:
микросистемная техника 2435 1845 590
материалы для микросистемной 268 268 -
техники
4. Базовые центры системного 3010 13 - - 3010 41,1
проектирования
5. Остальные направления 7081 30,5 6731 42,4 350 4,8
Всего 23200 100 15880 100 7320 100
____________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 4
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы
Объемы и источники финансирования подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
----------------------------T-------T-------------------------------------
Направление ¦ 2007- ¦ В том числе
¦ 2011 +------T------T-------T-------T-------
¦годы - ¦ 2007 ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011
¦ всего ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год
----------------------------+-------+------+------+-------+-------+-------
I. Объемы финансирования научно-исследовательских и
опытно-конструкторских работ
1. Сверхвысокочастотная 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944
электроника - всего
в том числе 3349 545 680 668 827 629
федеральный бюджет
2. Радиационно стойкая 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229
электронная компонентная
база - всего
в том числе 1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6
федеральный бюджет
3. Микросистемная техника - 2768 429 476 540 858 465
всего
в том числе 1845 286 317 360 572 310
федеральный бюджет
4. Микроэлектроника - всего 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867
в том числе 3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4
федеральный бюджет
5. Электронные материалы и 3357 663 612 702 663 717
структуры - всего
в том числе 2238 442 408 468 442 478
федеральный бюджет
6. Группы пассивной 3379 753 684 722 867 353
электронной компонентной
базы - всего
в том числе 2252 502 456 481 578 235
федеральный бюджет
7. Обеспечивающие работы - 641,5 127,5 101 157 116 140
всего
в том числе 430 85 68 105 78 94
федеральный бюджет
Итого по разделу I 23820 3900 4290 4725 5190 5715
в том числе 15880 2600 2860 3150 3460 3810
федеральный бюджет
II. Объемы капитальных вложений
8. Реконструкция и 8620 1400 1540 1700 1880 2100
техническое
перевооружение
действующих
микроэлектронных
производств - всего
в том числе 4310 700 770 850 940 1050
федеральный бюджет
9. Реконструкция и 6020 1000 1100 1200 1320 1400
техническое
перевооружение
базовых центров
системного
проектирования и
межотраслевого центра
фотошаблонов - всего
в том числе 3010 500 550 600 660 700
федеральный бюджет
Итого по разделу II 14640 2400 2640 2900 3200 3500
в том числе 7320 1200 1320 1450 1600 1750
федеральный бюджет
____________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 5
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы
Объемы финансирования подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------------------T------T-----------------------------
¦2007- ¦ В том числе
¦2011 +-----T-----T-----T-----T-----
¦годы -¦2007 ¦2008 ¦2009 ¦2010 ¦2011
¦всего ¦год ¦год ¦год ¦год ¦год
------------------------------+------+-----+-----+-----+-----+-----
Капитальные вложения - всего 14640 2400 2640 2900 3200 3500
в том числе:
федеральный бюджет 7320 1200 1320 1450 1600 1750
внебюджетные средства 7320 1200 1320 1450 1600 1750
Научно-исследовательские 23820 3900 4290 4725 5190 5715
и опытно-конструкторские
работы - всего
в том числе:
федеральный бюджет 15880 2600 2860 3150 3460 3810
внебюджетные средства 7940 1300 1430 1575 1730 1905
Всего по подпрограмме 38460 6300 6930 7625 8390 9215
в том числе:
федеральный бюджет 23200 3800 4180 4600 5060 5560
внебюджетные средства 15260 2500 2750 3025 3330 3655
____________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 6
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы
Распределение объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------------------T------T-----------------------------
¦ 2007-¦ В том числе
¦ 2011 +-----T-----T-----T-----T-----
¦годы -¦2007 ¦2008 ¦2009 ¦2010 ¦2011
¦всего ¦год ¦год ¦год ¦год ¦год
------------------------------+------+-----+-----+-----+-----+-----
Капитальные вложения - всего 7320 1200 1320 1450 1600 1750
из них:
Федеральное агентство по 7080 1175 1295 1420 1500 1690
промышленности
Федеральное агентство по 70 - - - 40 30
атомной энергии
Федеральное космическое 60 - - - 30 30
агентство
Федеральное агентство по 110 25 25 30 30 -
образованию
Научно-исследовательские и 15880 2600 2860 3150 3460 3810
опытно-конструкторские
работы - всего
из них:
Министерство промышленности 1032 200 200 200 200 232
и энергетики Российской
Федерации
Федеральное агентство по 13998 2230 2490 2780 3090 3408
промышленности
Федеральное агентство по 300 60 60 60 60 60
атомной энергии
Федеральное космическое 300 60 60 60 60 60
агентство
Федеральное агентство по 250 50 50 50 50 50
науке и инновациям
Всего по подпрограмме 23200 3800 4180 4600 5060 5560
из них:
Министерство промышленности 1032 200 200 200 200 232
и энергетики Российской
Федерации
Федеральное агентство по 21078 3405 3785 4200 4590 5098
промышленности
Федеральное агентство по 370 60 60 60 100 90
атомной энергии
Федеральное космическое 360 60 60 60 90 90
агентство
Федеральное агентство по 250 50 50 50 50 50
науке и инновациям
Федеральное агентство по 110 25 25 30 30 -
образованию
_____________
ПРИЛОЖЕНИЕ N 7
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы
Расчет показателей социально-экономической эффективности подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы
Оценка и расчет показателей эффективности подпрограммы проведены в соответствии с методикой оценки и расчета для федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, так как подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы (далее - подпрограмма) является составной частью указанной Программы.
Расчеты коммерческой и бюджетной эффективности базировались на ориентировочных данных о бюджетных и внебюджетных ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения подпрограммы и ожидаемых объемах производства высокотехнологичной наукоемкой продукции по годам расчетного периода (2007-2016 годы).
Эффективность подпрограммы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом осуществления подпрограммы вплоть до максимального уровня освоения введенных новых мощностей, а также 3 годами с момента серийного производства.
За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций или 1-й год разработки опытных образцов продукции, то есть 2007 год.
Конечный год расчетного периода определяется полным освоением в серийном производстве разработанной в период реализации подпрограммы продукции на созданных в этот период мощностях.
Учитывая, что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего периода действия подпрограммы и завершается в 2011 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей 1,5 - 2 года, то конечным годом расчетного периода с учетом 3 лет с момента серийного производства принят 2016 год.
Исходная информация по годовым объемам производства продукции была определена на основе прогнозных оценок. При этом объемы производства на 1-й стадии финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ достигнуты за счет реализации мероприятий прошлых лет.
Капитальные вложения на реализацию подпрограммы предусматривают прежде всего техническое перевооружение производства и строительство уникальных объектов.
Для определения коммерческой и бюджетной эффективности подпрограммы были приняты следующие условия:
данные об ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения, а также об объемах производства приведены в ценах соответствующих лет;
расчеты произведены с учетом фактора времени, то есть проведения (дисконтирования) будущих затрат и результатов к расчетному году с помощью коэффициента дисконтирования;
величина всех налогов и отчислений, поступающих в бюджет и внебюджетные фонды, определена в соответствии с действующим в настоящее время Налоговым кодексом Российской Федерации;
расчеты всех экономических показателей произведены в ценах соответствующих лет с учетом индексов-дефляторов, установленных Министерством экономического развития и торговли Российской Федерации до 2009 года, и с учетом складывающейся ситуации в отрасли дифференцированы для промышленной продукции и капитальных затрат с последующей экстраполяцией их до 2016 года.
Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности подпрограммы, приведены в таблице 1. Результаты расчетов приведены в таблице 2. Итоговые показатели эффективности подпрограммы приведены в таблице 3.
Экономическая эффективность подпрограммы в отрасли характеризуется следующими показателями.
При общей сумме инвестиций 38460 млн. рублей, включая 23200 млн. рублей бюджетных ассигнований на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения, и 15260 млн. рублей внебюджетных ассигнований реализация подпрограммы позволит получить в сфере производства за расчетный период (2007-2016 годы) чистый дисконтированный доход в размере 24615,6 млн. рублей, а чистый дисконтированный доход государства (бюджетный эффект) составит 46343,1 млн. рублей.
Всего налоговых поступлений от реализации подпрограммы с учетом бюджетных и внебюджетных ассигнований ожидается в размере 65343,9 млн. рублей.
Срок окупаемости всех инвестиций (бюджетных и внебюджетных ассигнований) за счет чистой прибыли и амортизации составит 7,3 года (или 2,3 года после окончания реализации подпрограммы), а бюджетных ассигнований за счет налоговых поступлений - 1 год.
Соответственно индексы доходности (рентабельность) составят для всех инвестиций - 1,78, для бюджетных ассигнований - 3,4.
Уровень безубыточности равен 0,67 при норме 0,7, что свидетельствует о высокой эффективности и степени устойчивости подпрограммы к возможным отклонениям условий ее реализации.
____________
Таблица 1
Исходные данные для расчета коммерческой и бюджетной эффективности подпрограммы
-------------------------T----------T------T------T------T------T------T------T------T------T-------T------T----------
Показатели ¦ Единица ¦ 2007 ¦ 2008 ¦ 2009 ¦ 2010 ¦ 2011 ¦ 2012 ¦ 2013 ¦ 2014 ¦ 2015 ¦ 2016 ¦За расчет-
¦ измере- ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ год ¦ный период
¦ ния ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
-------------------------+----------+------+------+------+------+------+------+------+------+-------+------+----------
Условно-переменная часть процентов 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 -
текущих издержек
производства
(себестоимость)
Годовой объем млн. 19110 25578 31140 38288 45435 55614 67963 83624 104249 131788 -
реализуемой продукции рублей в
отрасли ценах
(объем продаж) соответ-
ствующих
лет
Индекс-дефлятор на - 1,05 1,05 1,05 1,05 1,05 1,05 1,05 1,05 1,05 1,05 -
продукцию (к
предыдущему году)
Индекс-дефлятор на - 1,05 1,10 1,16 1,22 1,28 1,34 1,41 1,48 1,55 1,63 -
продукцию
(к базовому году)
Инвестиции из всех млн. 6300 930 7625 8390 9215 - - - - - 38460
источников рублей в
финансирования по ценах
подпрограмме соответ-
ствующих
лет
в том числе:
средства федерального -"- 3800 4180 4600 5060 5560 - - - - - 23200
бюджета на научно-
исследовательские и
опытно-конструкторские
работы, капитальные
вложения
из них:
капитальные вложения -"- 1200 1320 1450 1600 1750 - - - - - 7320
внебюджетные средства на -"- 2500 2750 3025 3330 3655 - - - - - 15260
научно-исследовательские
и опытно-
конструкторские работы
и капитальные вложения
(собственные, заемные и
другие)
Среднегодовая стоимость -"- 21926 26277 33611 44360 55290 63805 68138 74010 79395 84160 -
основных промышленно-
производственных фондов
отрасли по остаточной
стоимости
Индекс-дефлятор на - 1,113 1,088 1,08 1,07 1,065 1,065 1,06 1,06 1,06 1,06 -
инвестиции
(к предыдущему году)
Индекс-дефлятор на - 1,113 1,211 1,308 1,399 1,490 1,587 1,682 1,783 1,890 2,004 -
инвестиции
(к базовому году)
Рентабельность процентов 10 12 15 18 20 20 20 20 20 20 -
реализованной продукции
Амортизационные -"- 3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 -
отчисления
Материалы -"- 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 -
Фонд оплаты труда -"- 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 -
Налог на имущество -"- 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 -
Налог на прибыль -"- 24 24 24 24 24 24 24 24 24 24 -
Налог на пользователей -"- 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 -
автомобильных дорог
Подоходный налог -"- 13 13 13 13 13 13 13 13 13 13 -
Единый социальный налог -"- 26 26 26 26 26 26 26 26 26 26 -
Налог на добавленную -"- 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 -
стоимость
____________
Таблица 2
Расчет коммерческой и бюджетной эффективности подпрограммы (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------T-------------------------------------------------------------------------------------------T--------
Наименование ¦ Расчетный период ¦ За
показателей +--------T--------T--------T--------T---------T--------T--------T--------T--------T---------+ рас-
¦2007 год¦2008 год¦2009 год¦2010 год¦2011 год ¦2012 год¦2013 год¦2014 год¦2015 год¦2016 год ¦четный
+--------+--------+--------+--------+---------+--------+--------+--------+--------+---------+период
¦ номер шага (m) ¦
+--------T--------T--------T--------T---------T--------T--------T--------T--------T---------+
¦ 0 ¦ 1 ¦ 2 ¦ 3 ¦ 4 ¦ 5 ¦ 6 ¦ 7 ¦ 8 ¦ 9 ¦
------------------+--------+--------+--------+--------+---------+--------+--------+--------+--------+---------+--------
I. Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем 19110 25578 31140 38288 45435 55614 67963 83624 104249 131778 -
реализованной
продукции отрасли
без налога на
добавленную
стоимость
Себестоимость 17372,7 22837,5 27078,4 32447,8 37863 46345 56635,8 69686,6 86874,4 109814,6 -
годового объема
реализованной
продукции отрасли
Прибыль от 1737,3 2740,5 4061,8 5840,6 7572,6 9269 11327,2 13937,3 17374,9 21962,9 -
реализации
продукции
Среднегодовая 21926 26277 33611 44360 55290 63805 68138 74010 79395 84160 -
стоимость
основных
промышленно-
производственных
фондов отрасли
по остаточной
стоимости
Налог на имущество 438,5 525,5 672,2 887,2 1105,8 1276,1 1362,8 1480,2 1587,9 1683,2 11019,5
Налогооблагаемая 1511,4 2466,5 3777,4 5548,6 7345,4 8990,9 10987,3 13519,2 16853,6 21304 -
прибыль
Налог на прибыль 362,7 591,9 906,6 1331,7 1762,9 2157,8 2637 3244,6 4044,9 5113 -
Чистая прибыль 1148,7 1874,5 2870,8 4216,9 5582,5 6833,1 8350,4 10274,6 12808,8 16191,1 -
Амортизационные 608 867,8 1083,1 1460,2 1893,2 2549 3398,1 4529,6 6081,2 8236,1 -
отчисления в
структуре
себестоимости
Материальные 8686,4 11418,8 13539,2 16223,9 18931,5 23172,5 28317,9 34843,3 43437,2 54907,3 -
затраты в
структуре
себестоимости
Фонд оплаты 4343,2 5709,4 6769,6 8112 9465,8 11586,2 14158,9 17421,7 21718,6 27453,7 -
труда в
структуре
себестоимости
Налог на 1563,5 2055,4 2437,1 2920,3 3407,7 4171 5097,2 6271,8 7818,7 9883,3 -
добавленную
стоимость
Подоходный налог 564,6 742,2 880 1054,6 1230,5 1506,2 1840,7 2264,8 2823,4 3569 -
Единый 1129,2 1484,4 1760,1 2109,1 2461,1 3012,4 3681,3 4529,6 5646,8 7138 -
социальный налог
Налог на 191,1 255,8 311,4 382,9 454,4 556,1 679,6 836,2 1042,5 1317,8 -
пользователей
автомобильных
дорог
Налоги, 3887 5063,4 6060,8 7354,1 8659,5 10521,9 12661,6 15382,7 18919,4 23591,2 112101,5
поступающие в
бюджет и
внебюджетные
фонды (приток в
бюджет)
Чистый доход 1756,7 2742,3 3954 5677,1 7475,7 9382,1 11748,5 14804,2 18890,0 24427,2 -
предприятий
(чистая прибыль
и амортизационные
отчисления)
Коэффициент 1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 -
дисконтирования
(норма дисконта
Е = 0,10)
Чистый доход 1756,7 2493 3267,8 4265,3 5106 5825,5 6631,7 7596,9 8812,3 10359,5 56114,8
предприятий с
учетом
дисконтирования
Величина 6300 6930 7625 8390 9215 - - - - - 38460
инвестиций из
всех источников
финансирования
(оттоки)
Сальдо суммарного -4543,3 -4187,7 -3671 -2712,9 -1739,3 9382,1 11748,5 14804,2 18890,0 24427,2 -
потока от
инвестиционной и
операционной
деятельности без
дисконтирования
Величина 6300 6300 6301,653 6303,531 6293,969 - - - - - 31499,2
инвестиций из
всех источников
финансирования
(оттоки) с учетом
дисконтирования
Сальдо суммарного -4543,3 -3807 -3033,9 -2038,3 -1188 5825,5 6631,7 7596,9 8812,3 10359,5 24615,6
потока от
инвестиционной и
операционной
деятельности
с учетом
дисконтирования
Чистый -4543,3 -8350,2 11384,1 -13422,4 -14610,4 8784,9 -2153,1 5443,8 14256,1 24615,6 -
дисконтированный
доход
Срок окупаемости - - - - - - - - - - 7,3
инвестиций (2,3*)
(период возврата),
лет
Индекс доходности - - - - - - - - - - 1,78
(рентабельность)
инвестиций (Ид )
и
II. Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства 3800 4180 4600 5060 5560 - - - - - 23200
федерального
бюджета на научно-
исследовательские
и опытно-
конструкторские
работы,
капитальные
вложения
(отток из бюджета)
Налоги, 3887 5063,4 6060,8 7354,1 8659,5 10521,9 12661,6 15382,7 18919,4 23591,2 -
поступающие в
бюджет и
внебюджетные
фонды
Налоги, 3887 4603,1 5008,9 5525,2 5914,6 6533,3 7147,1 7893,8 8826 10005 65343,9
поступающие в
бюджет и
внебюджетные
фонды
с учетом
дисконтирования
Отток бюджетных 3800 4180 4600 5060 5560 - - - - - -
средств
Отток бюджетных 3800 3800 3801,7 3801,7 3797,6 - - - - - 19000,8
средств с учетом
дисконтирования
Сальдо суммарного 87 803,1 1207,3 1723,6 2117 6533,3 7147,1 7893,8 8826 10005 46343,1
потока от
финансирования
и операционной
деятельности с
учетом
дисконтирования
Чистый 87 890,1 2097,4 3820,9 5937,9 12471,2 19618,4 27512,1 36338,1 46343,1 -
дисконтированный
доход
государства или
бюджетный эффект
(ЧДД )
б
Индекс доходности 1 1,2 1,3 1,5 1,6 - - - - - 3,4
(рентабельность)
бюджетных средств
(ИД )
б
Налоги, 3887 4603,1 5008,9 5525,2 5914,6 6533,3 7147,1 7893,8 8826 10005 -
поступающие
в бюджет и
внебюджетные
фонды с учетом
дисконтирования
Удельный вес 0,6 0,61 0,61 0,61 0,61 - - - - - 0,61
средств
федерального
бюджета в общем
объеме
финансирования
(степень участия
государства)
Период возврата 1 год
бюджетных средств
(лет)
Уровень 0,7 0,68 0,67 0,66 0,6 - - - - - 0,67
безубыточности
____________
* После завершения подпрограммы.
Таблица 3
Итоговые показатели эффективности подпрограммы
---------------------------------T--------------------------------
¦ Показатель
+---------------------T----------
¦ единица измерения ¦ значение
¦ ¦
---------------------------------+---------------------+----------
Всего инвестиций в подпрограмму млн. рублей в ценах 38460
соответствующих лет
в том числе:
средства федерального -"- 23200
бюджета
внебюджетные средства -"- 15260
I. Показатели коммерческой эффективности
1. Чистый дисконтированный млн. рублей в ценах 24615,6
доход (ЧДД) в 2016 году** соответствующих лет
2. Срок окупаемости инвестиций лет 7,3 (2,3*)
по чистой прибыли предприятия
(СО)
3. Индекс доходности - 1,78
(рентабельность) инвестиций по
чистой прибыли (ИД)
4. Уровень безубыточности - 0,67
II. Показатели бюджетной эффективности
5. Налоги, поступающие в бюджет млн. рублей в ценах 65343,9
и внебюджетные фонды с учетом соответствующих лет
дисконтирования**
6. Бюджетный эффект (ЧДД )** -"- 46343,1
б
7. Индекс доходности - 3,4
(рентабельность) бюджетных
ассигнований по налоговым
поступлениям (ИД )
б
8. Удельный вес средств - 0,6
федерального бюджета в общем
объеме финансирования
(степень участия государства)
9. Срок окупаемости бюджетных лет 1
ассигнований по налоговым
поступлениям (СО )
б
___________________________
* После завершения подпрограммы.
** За 2007-2016 годы.
Обновление раздела прекращено в 2014 году. Версии законов могут не быть актуальными.
Детские вопросы
Почему стекло бьется?
Игорь Иванов
Почему ночные бабочки летят на свет?
Анатолий Крупицкий
Почему от сладкого болят поврежденные зубы?
Юлия Кондратенко
Какой толщины нервы у китов?
Юлия Кондратенко
Картинка дня
«Кактусовый» олень
26.09 • Анна Новиковская
