18–23 сентября 2005 г., Звенигород, Моск. обл., пансионат «Ершово».
Организаторы:
Отделение физических наук РАН;
Научный совет РАН по физике полупроводников;
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН;
Институт радиотехники и электроники РАН;
Физический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова.
Основные разделы программы:
- Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
- Пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
- Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные свойства, оптика, электронный транспорт, микрорезонаторы.
- Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, высокочастотный транспорт, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
- Одномерные системы и нульмерные системы: энергетический спектр, электронный транспорт, оптические свойства, локализация.
- Широкозонные материалы (SiC, GaN, II-VI и др.): рост, оптические и электронные свойства.
- Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
- Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования.
Последний срок приема тезисов докладов – 1 апреля 2005 г.
Контакты:
119924, Москва, Ленинский пр., 53, ФИАН им. П. Н. Лебедева РАН;
Пудонин Федор Алексеевич – ученый секретарь;
тел.: (095) 132-67-57;
факс: (095) 135-10-59;
E-mail: pudonin@sci.lebedev.ru
Подробнее о конференции